[發明專利]低壓差線性穩壓電路與電子設備

有效

• 申請號: 202110469737.8
• 申請日: 2021-04-28
• 公開（公告）號: CN113157040B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 鄭新年;鐘林;柯慶福;孫凱
• 申請（專利權）人: 晉江三伍微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海慧晗知識產權代理事務所(普通合伙) 31343
• 代理人: 周冬文

本發明提供了一種低壓差線性穩壓電路與電子設備，包括第一耗盡型邏輯管與反饋調節模塊；所述第一耗盡型邏輯管的第一端連接供電端，所述第一耗盡型邏輯管的第二端直接或間接連接電壓輸出端，用于輸出目標電壓；所述第一耗盡型邏輯管的第二端還直接或間接連接所述反饋調節模塊的第一端，所述第一耗盡型邏輯管的控制端連接所述反饋調節模塊的第二端；所述反饋調節模塊用于：在檢測到所述電壓輸出端當前的輸出電壓變高時，通過調低所述第一耗盡型邏輯管的控制端電壓，調低所述輸出電壓；在檢測到所述電壓輸出端當前的輸出電壓變低時，通過調高所述第一耗盡型邏輯管的控制端電壓，調高所述輸出電壓。

技術領域

本發明涉及高電子遷移率晶體管領域，尤其涉及一種低壓差線性穩壓電路與電子設備。

背景技術

低壓差線性穩壓電路(LDO，low dropout regulator)能夠為電路提供穩定的電源，作為電路的基本單元已經被廣泛應用，隨著通信標準的不斷提升，對電路的工作切換速度、功耗等要求也越來越高，因此，低延時、低功耗的低壓差線性穩壓電路也越來越重要。

目前高性能的射頻芯片很多是用ED-pHEMT工藝制作，該工藝通常只能提供E-mode(增強型)與D-mode(耗盡型)兩種形式的邏輯管，并且兩種邏輯管控制端電極有漏電存在，所以低靜態功耗的低壓差線性穩壓電路設計變得尤為困難。

可見，現有技術中，并無既能普遍適于各種工藝(尤其可適于ED- pHEMT工藝)又能形實現明顯LDO特性的電路。

發明內容

本發明提供一種低壓差線性穩壓電路與電子設備，以解決并無既能普遍適于各種工藝(尤其可適于ED-pHEMT工藝)又能實現明顯LDO特性的電路的問題。

根據本發明的第一方面，提供了一種低壓差線性穩壓電路，包括第一耗盡型邏輯管與反饋調節模塊；

所述第一耗盡型邏輯管的第一端連接供電端，所述第一耗盡型邏輯管的第二端直接或間接連接電壓輸出端，用于輸出目標電壓；所述第一耗盡型邏輯管的第二端還直接或間接連接所述反饋調節模塊的第一端，所述第一耗盡型邏輯管的控制端連接所述反饋調節模塊的第二端；所述第一耗盡型邏輯管的控制端還經所述反饋調節模塊直接或間接接地；

所述反饋調節模塊用于：

在檢測到所述電壓輸出端當前的輸出電壓變高時，通過調低所述第一耗盡型邏輯管的控制端與第二端之間的電壓差，調低所述輸出電壓；

在檢測到所述電壓輸出端當前的輸出電壓變低時，通過調高所述第一耗盡型邏輯管的控制端與第二端之間的電壓差，調高所述輸出電壓。

可選的，所述反饋調節模塊包括第一電阻與壓降調節單元；

所述第一電阻的第一端與所述壓降調節單元的第一端連接于所述電壓輸出端，所述第一電阻的第二端連接所述壓降調節單元的第二端，所述第一電阻的第二端還連接所述第一耗盡型邏輯管的控制端，且所述第一耗盡型邏輯管的控制端還經所述壓降調節單元直接或間接接地；

所述壓降調節單元用于：

在檢測到所述電壓輸出端當前的輸出電壓變高時，通過調低所述第一電阻兩端的壓降，調低所述第一耗盡型邏輯管的控制端與第二端之間的電壓差；

在檢測到所述電壓輸出端當前的輸出電壓變低時，通過調高所述第一電阻兩端的壓降，調高所述第一耗盡型邏輯管的控制端與第二端之間的電壓差。

可選的，所述壓降調節單元包括電流調節部、第二電阻與第一增強型邏輯管；

所述電流調節部的第一端連接所述電壓輸出端，所述電流調節部的第二端連接所述第二電阻的第一端，所述電流調節部的第二端還連接所述第一增強型邏輯管的控制端，所述第一增強型邏輯管的第一端連接所述第一電阻的第二端，所述第一增強型邏輯管的第二端直接或間接接地，所述第二電阻的第二端連接所述第一增強型邏輯管的第二端；