[發明專利]一種ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法

有效

• 申請號: 202110469072.0
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113233871B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 余芳;文崇斌;朱劉;童培云
• 申請（專利權）人: 先導薄膜材料（廣東）有限公司
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/08;C23C14/24
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;魏微

本發明公開了一種ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法，包括以下步驟：(1)將ITO殘靶經過預處理，得預處理后的ITO殘靶；(2)將所述預處理后的ITO殘靶破碎，過篩，得破碎好的ITO粉末；(3)將所述破碎好的ITO粉末裝入模具中，然后置于熱壓爐內，在50～100MPa下進行預壓；(4)預壓結束后，熱壓爐內抽真空到＜10Pa后，升溫至600～1200℃，并保溫50～80min，在保溫的同時升壓至100～200MPa保持30～50min，冷卻，即得所述ITO蒸發料。本發明所述方法通過調節制備工藝中熱壓的條件，可以制備不同密度的ITO蒸發料，節約了回收費用，充分利用了In材料。

技術領域

本發明涉及資源回收技術領域，具體涉及一種ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法。

背景技術

目前用于液晶顯示行業的ITO，一般為靶材，有平面靶和旋轉靶，一般平面靶材的利用率為15-30％，旋轉靶的利用率為60-80％，由于ITO靶材含有稀散金屬In，因此濺射后的靶材，通常是重新回收，但是這樣不僅造成了資源的浪費，同時在回收過程中也會對環境造成一定的污染。

真空蒸鍍，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發方式蒸發鍍膜材料(或稱膜料)并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法，ITO蒸鍍料作為真空蒸鍍ITO薄膜的原材料，同時也被廣泛應用，不同的蒸鍍工藝對ITO的密度要求各不相同。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的不足之處而提供一種ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法。

為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法，包括以下步驟：

(1)將ITO殘靶經過預處理，得預處理后的ITO殘靶；

(2)將所述預處理后的ITO殘靶破碎，過篩，得破碎好的ITO粉末；

(3)將所述破碎好的ITO粉末裝入模具中，然后置于熱壓爐內，在50～100MPa下進行預壓；

(4)預壓結束后，熱壓爐內抽真空到＜10Pa后，升溫至600～1200℃，并保溫50～80min，在保溫的同時升壓至100～200MPa，在100～200MPa下保持30～50min，冷卻，即得所述ITO蒸發料。

步驟(3)中的預壓操作可防止抽真空噴粉；通過控制步驟(4)中的溫度、壓強和時間可以控制所得ITO蒸發料的密度在55－99.8％范圍內。

作為本發明所述ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法的優選實施方式，步驟(1)中，所述預處理為：對ITO殘靶的表面進行打磨拋光并清洗。

作為本發明所述ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法的優選實施方式，步驟(2)中，所述過篩為過325目篩。

作為本發明所述ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法的優選實施方式，步驟(4)中，所述升溫的速率為5～10℃/min。

作為本發明所述ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法的優選實施方式，步驟(4)中，所述冷卻為隨爐冷卻。

作為本發明所述ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法的優選實施方式，步驟(4)中，所述冷卻后還包括：將經過CNC加工、破碎或切割至所需尺寸。

作為本發明所述ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法的優選實施方式，所述升壓的時間為≤20min。

本發明的有益效果在于：本發明提供了一種ITO殘靶回收料制備ITO蒸發料的方法，本方法通過ITO殘靶回收粉制備ITO蒸發料，通過調節制備工藝中熱壓的條件，可以制備不同密度的ITO蒸發料，同時節約了回收的費用，殘靶回收充分利用了In材料，避免了環境污染。

具體實施方式