[發(fā)明專利]一種光伏電池基板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110467031.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113224191B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高文秀;趙百通;佐佐木實(shí);高向曈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 宜興市昱元能源裝備技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/049 | 分類號(hào): | H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司: | 無(wú)錫智睿風(fēng)行知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32631 | 代理人: | 鳳婷 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電池 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種光伏電池基板,該光伏電池基板包括:主體層,所述主體層為硅基材料;三氧化二鋁層,所述三氧化二鋁層覆于主體層的表面;以及若干貫穿所述主體層和三氧化二鋁層的孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的基板可短時(shí)間內(nèi)耐1500℃的高溫,在?50~100℃的溫度范圍與硅材料有近似的熱脹冷縮系數(shù),液態(tài)硅在其表面具有的良好流動(dòng)性和滲透性,通過(guò)鑄造(甩片)法可以可控的形成幾微米至幾千微米的無(wú)切縫硅片,基板上形成硅片結(jié)合牢固。面內(nèi)基本各向同性,便于以后采用激光等設(shè)備的“機(jī)械裁剪”,根據(jù)市場(chǎng)需要,可以裁剪成圓形、四邊形、五邊形、六邊形、五角星等形狀。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,具體涉及一種光伏電池基板及其制備方法。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能電池板需要自有一定的機(jī)械強(qiáng)度,抗震耐機(jī)械沖擊耐熱沖擊,直接形成硅片的基板材料是關(guān)鍵,基板材料必須滿足化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,抗震等一系列物理及物性的苛刻要求。
傳統(tǒng)工藝中的光伏組件采用的背板材質(zhì)為TPT、TPE和PET/聚烯烴,將硅片通過(guò)封裝膠膜(EVA)固定到背板上,傳統(tǒng)工藝存在以下問(wèn)題:硅片不可能低于150um,否則制作硅片過(guò)程中破碎率將大幅度上升,電池成品率將大幅降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光伏電池基板,可直接在該基板上形成極薄的硅片。
本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案如下:
一種光伏電池基板,包括:
主體層,所述主體層為硅基材料;
三氧化二鋁層,所述三氧化二鋁層覆于主體層的表面;
以及若干貫穿所述主體層和三氧化二鋁層的孔。
優(yōu)選地,所述硅基材料選自氮化硅、碳化硅和二氧化硅中的至少一種;
優(yōu)選地,所述硅基材料為碳化硅和二氧化硅的質(zhì)量比為50:1~1:50的組合物。
優(yōu)選地,所述光伏電池基板的厚度為0.1~15mm。
優(yōu)選地,所述三氧化二鋁層的厚度為1~10微米。
優(yōu)選地,所述孔的方向與光伏電池基板的法線基本平行。
優(yōu)選地,所述三氧化二鋁層的(100)晶向與基板的法線基本平行。
優(yōu)選地,所述三氧化二鋁層摻有硅。
更優(yōu)選地,所述三氧化二鋁層中硅的摻入量為0.5~5wt%。
上述光伏電池基板的制備方法,包括;
(1)將硅基材料混合預(yù)成型,然后涂覆三氧化二鋁;
(2)壓鑄,燒結(jié);
(3)激光開(kāi)孔,得到所述的光伏電池基板。
優(yōu)選地,步驟(2)中,壓鑄的溫度為800~1400℃,壓力為500~12000kg/cm2。
優(yōu)選地,步驟(2)中,燒結(jié)的溫度為1400~2000℃,時(shí)間為5~240min。
上述的光伏電池基板的制備方法,包括;
(1)將硅基材料混合預(yù)成型,然后涂覆三氧化二鋁;
(2)采用帶孔鑄模壓鑄成型;
(3)燒結(jié),得到所述的光伏電池基板。
優(yōu)選地,壓鑄成型的溫度為800~1400℃,壓力為500~12000kg/cm2。
優(yōu)選地,燒結(jié)的溫度為1400~2000℃,時(shí)間為5~240min。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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