[發明專利]陣列天線方向圖合成方法、系統、天線設計及測量方法有效
| 申請號: | 202110464960.3 | 申請日: | 2021-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN113361069B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發明(設計)人: | 陳蕾;楊毅夫;羅梁欽;張天齡 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G01R29/10 |
| 代理公司: | 西安長和專利代理有限公司 61227 | 代理人: | 黃偉洪 |
| 地址: | 710071 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 天線方向圖 合成 方法 系統 天線 設計 測量方法 | ||
1.一種陣列天線方向圖合成方法,其特征在于,所述陣列天線方向圖合成方法包括:
通過對目標天線陣列模型進行仿真或對已加工天線實物進行測試,得到天線陣列的S參數矩陣以及單元遠區電場方向圖;
通過仿真或測試得到天線需要使用的饋電網絡的S參數矩陣,不同的饋電網絡結構得到不同的S參數矩陣,修正的結果會有不同;
由天線所應用環境得到饋電網絡的實際饋電,與步驟S101,步驟S102中得到的天線S參數矩陣和饋電網絡S參數矩陣代入公式,得到修正后的激勵幅度相位;由天線所應用環境得到饋電網絡的實際饋電A1,與得到的天線S參數矩陣和饋電網絡S參數矩陣代入公式,得到修正后的激勵幅度相位A3:
使用修正后的激勵幅度相位,將單元方向圖乘以激勵系數后相加,合成得到修正后的陣列遠區電場方向圖;
將合成得到的遠區電場方向圖,轉換為所需的方向圖,所述方向圖為增益方向圖或歸一化的場方向圖;
所述陣列天線方向圖合成方法的饋電網絡為一個總共有m+n個端口的網絡,其中n個端口用于連接天線,m個端口用于連接激勵源,其S參數矩陣為Sc;天線共有n個單元,即n個端口,其S參數矩陣為Sa;
其中,ai(i=1…m+2n)表示網絡輸入,bi(i=1…m+2n)表示網絡輸出,為使表述簡潔,令:
[a1…am]′=A1
[am+1…am+n]′=A2
[am+n+1…am+2n]′=A3
[b1…bm]′=B1
[bm+1…bm+n]′=B2
[bm+n+1…bm+2n]′=B3
A1代表饋電網絡的輸入,此處輸入的是固定的激勵,直接來源于信號源,A3代表天線各個單元實際得到的激勵,與饋電網絡的實際輸出B2相等;
將矩陣Sc分塊:
其中為m維矩陣,為n維矩陣;
由S參數矩陣的定義知:
B3=Sa*A3
由得:
由于饋電網絡與天線直接相連,得:
B2=A3;
A2=B3;
將上式代入得:
將B3=Sa*A3代入并化簡后可得:
整理得:
2.如權利要求1所述的陣列天線方向圖合成方法,其特征在于,通過對目標天線陣列模型進行仿真或對已加工天線實物進行測試,得到天線陣列的S參數矩陣Sa以及單元遠電場方向圖rE1…rEn,其中n為天線單元個數,用于后續的陣列方向圖的合成。
3.如權利要求1所述的陣列天線方向圖合成方法,其特征在于,通過仿真或測試得到天線需要使用的饋電網絡的S參數矩陣Sc,不同的饋電網絡結構得到不同的S參數矩陣,修正的結果會有不同。
4.如權利要求1所述的陣列天線方向圖合成方法,其特征在于,使用修正后的激勵幅度相位,將單元方向圖乘以激勵系數后相加,合成得到修正后的陣列遠區電場方向圖:
其中n為天線單元個數。
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