[發明專利]一種基于不同類黑磷材料的太陽能電池及制備方法有效
| 申請號: | 202110464509.1 | 申請日: | 2021-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN113394302B | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發明(設計)人: | 涂昌昕;雷雙瑛;江源長;陳潔;黃慶安 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 馮慧 |
| 地址: | 210096 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 同類 黑磷 材料 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種基于不同類黑磷材料的太陽能電池,其特征在于,所述的太陽能電池由下而上包括如下結構:最底層為襯底(1),第二層為陽極涂層(2),第三層為雙層AB堆垛的GeS結構(4);第四層為雙層旋轉AD堆垛SnS(5),最上面為陰極(6),陰極占雙層旋轉SnS-AD堆垛總面積的10%到15%,而陽極(3)在陽極涂層上,使得陽極(3)與雙層AB堆垛的GeS結構(4)不接觸;所述的太陽能電池中的雙層AB堆垛的GeS和雙層旋轉AD堆垛SnS為雙層,厚度為7-14 ?,雙層GeS-AB堆垛結構為:第一層結構相當于相對第二層沿a方向移動了0.281個周期,而雙層旋轉SnS-AD堆垛的第二層相當于第一層沿b方向移動了半個周期的距離,且其第二層相對第一層旋轉了180°;AB堆垛的GeS雙層薄膜和AD堆垛旋轉SnS雙層薄膜組成異質結,AD堆垛作為給體部分,AB堆垛作為受體部分,雙層旋轉的SnS-AD堆垛和雙層AB堆垛GeS構成了一個Ⅱ型異質結。
2.根據權利要求1所述的基于不同類黑磷材料的太陽能電池,其特征在于,所述的雙層AB堆垛的GeS結構和雙層旋轉AD堆垛SnS,都是通過探針剝離的方法將初始結構進行錯位得到。
3.根據權利要求1所述的基于不同類黑磷材料的太陽能電池,其特征在于,采用的陽極(3)和襯底(1)都為一體化的導電玻璃。
4.一種如權利要求1所述的基于不同類黑磷材料的太陽能電池的制備方法,其特征在于,該制備方法包括以下步驟:
a.采用光刻法制備襯底和陽極電極,使得陽極(3)與雙層AB堆垛的GeS結構(4)不接觸;
b.GeS薄膜和SnS薄膜的制備:使用液相法制備GeS,通過電沉積法來制備SnS;
c.SnS堆垛和GeS堆垛制備:
1)將上述得到的SnS膜,在電子顯微鏡下,通過探針剝離的方法,剝離得到雙層的SnS膜;
2)將1)得到的SnS在電子顯微鏡下,使用探針移動層與層間的相對距離或進行層間的旋轉變換,得到所要求的雙層旋轉SnS-AD堆垛,最后再將二者通過層間的范德瓦爾斯力相互結合形成橫向異質結;
3)經過步驟1)和2)相同的方法制備得到GeS-AB堆垛;
d.器件組合
將c得到的雙層GeS-AB堆垛通過二維材料轉移裝置轉移到ITO涂層上方,然后將c得到的雙層旋轉SnS-AD堆垛通過二維材料轉移系統堆疊在GeS-AB堆垛的上方,最后對得到的器件進行退火處理,
e.將d得到的器件,通過金屬蒸鍍技術在頂部蒸鍍一層金屬層作為陰極,占雙層旋轉SnS-AD堆垛總面積的10%到15%。
5.如權利要求4所述的一種基于類黑磷材料的異質結薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟a中采用光刻法制備襯底和陽極電極的具體方法為:
采用導電玻璃作為襯底和電極,首先在導電玻璃上涂上均勻的光刻膠,通過光刻技術得到對應電極圖形的反圖形,經過曝光處理,得到下金屬電極的圖形,然后進行金屬蒸鍍,使用丙酮混合液體清洗掉多余的光刻膠,使得陽極(3)與雙層AB堆垛的GeS結構(4)不接觸,這就得到了帶金屬電極的導電玻璃結構。
6.如權利要求4所述的基于不同類黑磷材料的太陽能電池的制備方法,其特征在于,使用液相法制備GeS的具體方法為,將計量比的鍺氯化二噁烷絡合物、硫脲、油酰胺0LA分別在空氣中輕微的磁力攪拌;將攪拌后的液體混合物超聲處理,除去油胺中的空氣;隨后連接到Schlenk線,抽真空,除去水分和氧氣;在磁力攪拌下通氮氣進行惰性氣體保護;將處理過后的液體混合物加熱,隨著溫度的升高,液體逐漸變成了黃色透明溶液,反應混合物在氮氣流中回流反應;反應結束將溶液冷卻至室溫,沉淀離心分離,洗滌真空干燥獲得樣品。
7.如權利要求4所述的一種基于不同類黑磷材料的太陽能電池的制備方法,其特征在于,通過電沉積法來制備SnS先制備沉積液,先將去離子水通氮氣后,在水中加入藥品,稱取以定量的SnCl2-2H2O、Na2S2O3-5H2O、K4P2O7及添加劑C19H42BrN或CO(NH2)2,適量CuCl2-2H2O或AlCl3-6H2O溶于去離子水中,使用稀硫酸調節電沉積液pH值2.8~3.0,攪拌均勻備用,將三電極插入上述沉積液中,在恒溫水浴鍋進行沉積,攪拌速度恒定,恒電位沉積,將前面得到的沉積薄膜放置在瓷舟中,再將瓷舟放置于管式爐中,惰性氣氛下退火,而后隨爐冷卻至室溫。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東南大學,未經東南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110464509.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





