[發明專利]高強制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件

在審

• 申請號: 202110462599.0
• 申請日: 2021-04-28
• 公開（公告）號: CN113013316A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 陳建民;趙麗萍;張文濤;惠小青;李永校;蔡水占;錢俊有;張建中;任保國;韓笑;馮玉潔;王軍霞
• 申請（專利權）人: 河南鴻昌電子有限公司
• 主分類號: H01L35/16
• 分類號: H01L35/16;H01L35/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高強制造致冷件所用的材料，包括N型半導體材料和P型半導體材料；所述的N型半導體材料按照重量份為含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、鉍790～800、鎂2～4、鋁1～2；所述的P型半導體材料按照重量份為含有硒11.5～12.5、鉍180～190、銻320～330、碲620～650，鋅2～4、碳1～2。

2.根據權利要求1所述的高強制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的N型半導體材料按照重量份為含有四碘化碲1.2、硒34、碲635、鉍795、鎂3、鋁1.5。

3.根據權利要求1或2所述的高強制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的P型半導體材料按照重量份為含有硒12、鉍185、銻325、碲635，鋅3、碳1.5。

4.根據權利要求1或2所述的高強制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的N型半導體材料按照重量份還含有鎳1～2。

5.根據權利要求3所述的高強制造致冷件所用的材料，其特征是：所述的P型半導體材料按照重量份還含有鉻1～2。

6.一種致冷件晶粒，其特征是：所述的致冷件晶粒是用上述1-5的材料經過熔化、拉晶、線切割而制成。

7.一種致冷件，所述的致冷件包括位于上下兩面的兩塊陶瓷絕緣板，這兩塊陶瓷絕緣板分別是上面的上瓷板和下面的下瓷板，上瓷板下面焊接多個導電片，這些導電片是上導電片；所述的下瓷板上面焊接多個導電片，這些導電片是下導電片，還有多個晶粒焊接在上導電片和下導電片之間，所述的晶粒就是上述的晶體線切割而成的；其特征是：所述的致冷件是用權利要求6的致冷件晶粒制成。