[發明專利]一種腐蝕鍺片的方法

有效

• 申請號: 202110461579.1
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113174597B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 顧小英;趙青松;牛曉東;狄聚青
• 申請（專利權）人: 清遠先導材料有限公司
• 主分類號: C23F1/24
• 分類號: C23F1/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 付麗

本發明提供了一種腐蝕鍺片的方法，包括以下步驟：A)將厚度差在±0.025mm內的鍺片固定在同一卡槽內，然后將所述放有鍺片的卡槽置于腐蝕液中，進行腐蝕；所述腐蝕液為體積比為(2～5):1的硝酸和氫氟酸的混合液；B)待腐蝕液開始冒紅煙，在腐蝕液中緩慢加入純水，直至紅煙變黃煙，繼續腐蝕1～2min；C)使用純水稀釋腐蝕液，然后取出卡槽，清洗鍺片并干燥。本發明在腐蝕液開始冒紅煙的時候緩慢加入純水，使反應前期鍺片可快速反應，并防止反應后期溫度過高、反應過于激烈而導致的鍺片表面發黑。本發明中的方法在保證腐蝕效率的同時，解決了現有酸腐蝕中反應速率難以控制，鍺片表面易發黑的技術問題。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，尤其涉及一種腐蝕鍺片的方法。

背景技術

置于磁場中的載流導體，如果電流方向與磁場垂直，則在垂直于電流和磁場的方向會產生一附加的橫向電場。這一顯現是霍普金斯大學研究生霍爾于1879年發現的，后被稱為霍爾效應。根據霍爾效應，人們用半導體材料如鍺片、硅片等制成霍爾元件，霍爾元件具有對磁場敏感、結構簡單、體積小、頻率響應寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優點。利用霍爾元件可以測量磁場，可以研究半導體中載流子的類別和特性等，也可以利用它制作傳感器，用于磁讀出頭、隔離器，轉速儀等。

對于鍺片制備的霍爾元件，在進行霍爾檢測之前，需要對鍺片進行腐蝕光亮，現有的堿腐蝕速率慢，受溫度影響較大，反應隨時間先增后減，得到的鍺片粗糙度大、光潔度小，表面易發白；如呂菲(中國電子科技集團公司第四十六研究所，2007)公布了兩種堿性腐蝕，氫氧化鉀和過氧化氫，氫氧化銨和過氧化氫腐蝕液。而現有的酸腐蝕的腐蝕速度過快，較激烈，不易控制，去除量不穩定，表面易發黑。

發明內容

基于此，本發明的目的在于提供一種腐蝕鍺片的方法，本發明中的方法為一種速率可控的酸腐蝕方法，且腐蝕后的鍺片光潔度高，粗糙度小。

本發明提供一種腐蝕鍺片的方法，包括以下步驟：

A)將厚度差在±0.025mm內的鍺片固定在同一卡槽內，然后將所述放有鍺片的卡槽置于腐蝕液中，進行腐蝕；

所述腐蝕液為體積比為(2～5):1的硝酸和氫氟酸的混合液；

B)待腐蝕液開始冒紅煙，在腐蝕液中緩慢加入純水，直至紅煙變黃煙，繼續腐蝕1～2min；

C)使用純水稀釋腐蝕液，然后取出卡槽，清洗鍺片并干燥。

優選的，所述腐蝕液中硝酸和氫氟酸的質量比為(3～4)：1。

優選的，所述步驟B)中，在冒出紅煙1～2min后加入純水(混合液：純水＝20：1)。

優選的，所述步驟C)中，加入的純水與所述腐蝕液的體積比為1：(3-5)。

優選的，所述鍺片在腐蝕之前使用沾有酒精的無塵布擦拭干凈。

本發明提供了一種腐蝕鍺片的方法，包括以下步驟：A)將厚度差在±0.025mm內的鍺片固定在同一卡槽內，然后將所述放有鍺片的卡槽置于腐蝕液中，進行腐蝕；所述腐蝕液為體積比為(2～5):1的硝酸和氫氟酸的混合液；B)待腐蝕液開始冒紅煙，在腐蝕液中緩慢加入純水，直至紅煙變黃煙，繼續腐蝕1～2min；C)使用純水稀釋腐蝕液，然后取出卡槽，清洗鍺片并干燥。本發明的關鍵點在于，在腐蝕液開始冒紅煙的時候緩慢加入純水，使反應前期鍺片可快速反應，并防止反應后期溫度過高、反應過于激烈而導致的鍺片表面發黑。本發明中的方法在保證腐蝕效率(腐蝕時間2～3min)的同時，解決了現有酸腐蝕中反應速率難以控制，鍺片表面易發黑的技術問題。

具體實施方式

本發明提供了一種腐蝕鍺片的方法，包括以下步驟：

A)將厚度差在±0.025mm內的鍺片固定在同一卡槽內，然后將所述放有鍺片的卡槽置于腐蝕液中，進行腐蝕；