[發明專利]一種基于苯并二噻吩二酮的非摻雜空穴傳輸材料及其合成方法和應用有效
| 申請號： | 202110461386.6 | 申請日： | 2021-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN113173930B | 公開（公告）日： | 2022-04-19 |
| 發明（設計）人： | 李在房;尹新星;胡林;宋嘉興;蘇振;金英芝 | 申請（專利權）人： | 嘉興學院 |
| 主分類號： | C07D495/04 | 分類號： | C07D495/04;H01L51/46 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241 | 代理人： | 欽榮燕 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉興市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 噻吩 摻雜 空穴 傳輸 材料 及其 合成 方法 應用 | ||
1.一種基于苯并二噻吩二酮的非摻雜空穴傳輸材料，其特征在于：具有以下結構式：
2.一種如權利要求1所述非摻雜空穴傳輸材料的合成方法，其特征在于：包括如下步驟：
氮氣保護下，將4-甲氧基-N-(4-甲氧基苯基)-N-(4-(5-(三丁基錫基)噻吩-2-基)苯基)苯胺TPA-T-Sn與2,6-二溴苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-4,8-二酮BDT-Br在四(三苯基膦)鈀催化下偶聯得到目標產物BDT-T；
3.根據權利要求2所述非摻雜空穴傳輸材料的合成方法，其特征在于：反應溶劑為甲苯。
4.根據權利要求2所述非摻雜空穴傳輸材料的合成方法，其特征在于：反應溫度為110±10℃。
5.根據權利要求2所述非摻雜空穴傳輸材料的合成方法，其特征在于：苯并二噻吩二酮溴代衍生物BDT-Br、TPA-T-Sn、四(三苯基膦)鈀的摩爾比為1:2:0.05～1:3:0.2。
6.一種如權利要求1所述非摻雜空穴傳輸材料的應用，其特征在于：將基于苯并二噻吩二酮的非摻雜空穴傳輸材料應用于鈣鈦礦太陽能電池。
7.根據權利要求6所述非摻雜空穴傳輸材料的應用，其特征在于：在所述鈣鈦礦太陽能電池結構中，在鈣鈦礦薄膜表面旋涂基于苯并二噻吩二酮的非摻雜空穴傳輸材料作為空穴傳輸層。
8.根據權利要求7所述非摻雜空穴傳輸材料的應用，其特征在于：所述鈣鈦礦太陽能電池的結構從下至上依次為玻璃/ITO/SnO2/鈣鈦礦/HTM/Au，所述HTM為基于苯并二噻吩二酮的非摻雜空穴傳輸材料。
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