[發明專利]快閃存儲器的形成方法

在審

• 申請號: 202110461250.5
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113192960A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 湯志林;石強;陳立法
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11548;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種快閃存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成相鄰的淺溝槽隔離和有源區，所述淺溝槽隔離包括多個第一淺溝槽隔離結構和多個第二淺溝槽隔離結構，所述第一淺溝槽隔離結構的高度大于所述第二淺溝槽隔離結構的高度，所述第一淺溝槽隔離結構和所述第二淺溝槽隔離結構間隔設置；

在所述第一淺溝槽隔離結構相鄰的所述有源區的襯底上依次形成浮柵以及位于所述浮柵兩側的第一側墻和第二側墻，所述第二側墻連接所述有源區的襯底和所述第一側墻；

在與所述第二淺溝槽隔離結構相鄰的有源區的襯底上形成字線；

刻蝕所述第一淺溝槽隔離結構使得所述第一淺溝槽隔離結構和所述第二淺溝槽隔離結構的高度相同。

2.如權利要求1所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成多個第一淺溝槽隔離結構和多個第二淺溝槽隔離結構，所述第一淺溝槽隔離結構的高度大于所述第二淺溝槽隔離結構的高度的方法包括：

在所述襯底上依次形成浮柵層和緩沖層；

依次刻蝕所述緩沖層和所述浮柵層，以形成淺溝槽；

向所述淺溝槽內填充氧化物，以形成淺溝槽隔離結構；

去除所述緩沖層；

刻蝕所述淺溝槽隔離結構形成第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構。

3.如權利要求2所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，在所述襯底上形成浮柵層和緩沖層之前，還包括：在所述襯底上形成柵極介質層。

4.如權利要求2所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一淺溝槽隔離結構比所述第二淺溝槽隔離結構的高度高300埃。

5.如權利要求2所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，刻蝕淺溝槽隔離結構后，使得淺溝槽隔離結構形成高低起伏的形狀，高的部分為第一淺溝槽隔離結構，低的部分為第二淺溝槽隔離結構。

6.如權利要求2所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括氮化硅。

7.如權利要求2所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度大于300埃。

8.如權利要求2所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，在所述第一淺溝槽隔離結構相鄰的所述有源區上形成柵極結構的方法包括：

在浮柵層上形成浮柵掩膜層；

依次刻蝕所述浮柵掩膜層和所述浮柵層并停止在浮柵層中，以形成第一開口，所述第一開口暴露出剩余的所述浮柵掩膜層的側壁以及剩余的所述浮柵層的側壁；

在所述第一開口內形成覆蓋所述浮柵掩膜層的側壁和所述浮柵層的側壁的第一側墻，所述第一側墻連接剩余的所述浮柵層和浮柵掩膜層，所述第一側墻圍合形成第二開口。

9.如權利要求8所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第二側墻的方法包括：

以第一側墻為掩膜，依次刻蝕去除所述第二開口內的剩余的浮柵層和所述柵極介質層露出所述襯底的表面；

在所述第二開口內形成第二側墻，所述第二側墻連接所述襯底。

10.如權利要求8所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第一側墻的方法包括：

在所述第一開口內沉積氧化物；

刻蝕所述氧化物形成第一側墻。

11.如權利要求8所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述第二側墻的方法包括：

在所述第二開口內沉積氧化物；

刻蝕所述氧化物形成第二側墻。