[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)與使用其的微型發(fā)光二極管顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110460472.5 | 申請日： | 2021-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN113193090B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅子元;陳飛宏;蔡百揚 | 申請（專利權(quán)）人： | 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋興;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學(xué)園*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微型 發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu) 使用 顯示 面板 | ||
1.一種微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括：
磊晶層；
反射層，設(shè)置于所述磊晶層之上；
圖案化電極層，設(shè)置于所述磊晶層與所述反射層之間，其中所述圖案化電極層被區(qū)分為多個圖案化電極區(qū)段，所述多個圖案化電極區(qū)段彼此分離；以及
第一型電極與第二型電極，設(shè)置于所述反射層之上并與所述磊晶層電性連接；
其中所述磊晶層包括：
第一型半導(dǎo)體層，具有第一導(dǎo)電類型；
發(fā)光層，設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層之上；及
第二型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述發(fā)光層之上，且具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型，
其中所述第一型電極與所述第一型半導(dǎo)體層電性連接，而所述第二型電極與所述第二型半導(dǎo)體層電性連接，所述圖案化電極層設(shè)置于所述第二型半導(dǎo)體層之上，并與所述第二型半導(dǎo)體層直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有第一貫孔，所述第一貫孔貫穿所述反射層并裸露所述第一型半導(dǎo)體層的一部分，且所述第一型電極設(shè)置于所述第一貫孔中并與所述第一型半導(dǎo)體層直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第二型半導(dǎo)體層、所述圖案化電極層、至少部分所述反射層、至少部分所述第一型電極與所述第二型電極位于所述發(fā)光層的同一側(cè)，所述第一型半導(dǎo)體層位于所述發(fā)光層的另一側(cè)，且所述第一貫孔也貫穿所述第二型半導(dǎo)體層與所述發(fā)光層并裸露所述第一型半導(dǎo)體層的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第一型電極延伸并覆蓋于所述反射層的側(cè)面之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有第二貫孔，所述第二貫孔貫穿所述反射層并裸露所述圖案化電極層的一部分與所述第二型半導(dǎo)體層的一部分，且所述第二型電極設(shè)置于所述第二貫孔中并與所述圖案化電極層的所述部分直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述圖案化電極層的所述部分與所述第二型半導(dǎo)體層的接觸面積與所述第二貫孔的底面積的比例介于40％至60％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第一型半導(dǎo)體層具有圖案化出光面及與所述圖案化出光面相對的背面，所述發(fā)光層設(shè)置于所述背面之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中每所述圖案化電極區(qū)段的尺寸小于所述圖案化出光面的圖案的尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述反射層具有圖案化頂表面，且所述第一型半導(dǎo)體層具有圖案化出光面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，還包括：
導(dǎo)電膜，設(shè)置于所述磊晶層與所述圖案化電極層之間且所述導(dǎo)電膜整層平鋪于所述磊晶層之上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述圖案化電極層與所述導(dǎo)電膜包括氧化銦钖、氧化錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅、氧化銻錫、氧化銻鋅。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中每所述圖案化電極區(qū)段的高度介于0.01μm至2μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中每所述圖案化電極區(qū)段的底面寬度介于0.5μm至5μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的微型發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述多個圖案化電極區(qū)段的排列間距介于0.5μm至20μm。
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