[發(fā)明專利]一種功率半導體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110460375.6 | 申請日： | 2021-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN113192901A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉家寶 | 申請（專利權(quán)）人： | 劉家寶 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/49 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 233300 安徽省蚌*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功率 半導體器件 | ||
1.一種功率半導體器件，包括功率半導體器件主體(1)，其特征在于：所述功率半導體器件主體(1)的側(cè)端面設(shè)置有接線槽(12)，所述接線槽(12)的數(shù)量為兩個，兩組接線槽(12)位于功率半導體器件主體(1)的兩側(cè)頂部，所述接線槽(12)的側(cè)端面設(shè)置有引腳內(nèi)芯(2)，所述引腳內(nèi)芯(2)的外端套設(shè)有防護陶瓷方管(3)，所述防護陶瓷方管(3)與接線槽(12)之間設(shè)置有隔熱墊(13)，所述功率半導體器件主體(1)的上端面開設(shè)有散熱槽(11)，所述散熱槽(11)內(nèi)設(shè)置有散熱薄膜(111)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述引腳內(nèi)芯(2)為L形銀質(zhì)圓柱狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述防護陶瓷方管(3)采用氧化鋁陶瓷制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述防護陶瓷方管(3)和引腳內(nèi)芯(2)之間設(shè)置有松香(33)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述防護陶瓷方管(3)的上端設(shè)置有焊料添加口(31)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述隔熱墊(13)采用隔熱硅膠制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述隔熱墊(13)的側(cè)端面設(shè)置有固定墊(131)，所述固定墊(131)置于相鄰防護陶瓷方管(3)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述防護陶瓷方管(3)與功率半導體器件主體(1)之間留有一定間隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述功率半導體器件主體(1)的下端面高于防護陶瓷方管(3)的下端面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導體器件，其特征在于：所述防護陶瓷方管(3)的內(nèi)端面底部設(shè)置有焊點模槽(32)，所述焊點模槽(32)為圓弧狀錐面結(jié)構(gòu)。
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