[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110460222.1 | 申請日: | 2021-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN113193025A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭介鑫;陸煒 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請實施例公開了一種顯示面板及顯示裝置,包括陣列基板、設(shè)置于陣列基板上的電極層、設(shè)置于電極層上的發(fā)光層和設(shè)置于所述發(fā)光層上的陰極層,其中所述電極層包括間隔設(shè)置于所述陣列基板上的陽極和接觸電極,并且所述陽極以連續(xù)的方式設(shè)置,所述接觸電極具有圖案化圖形,所述接觸電極穿過所述發(fā)光層與所述陰極層接觸;本申請顯示面板和顯示裝置降低陰極層電阻,進而降低顯示面板整體的IR Drop效應(yīng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
在面板顯示行業(yè),有源矩陣有機發(fā)光二極管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)顯示屏相比于液晶(Liquid Crystal Display,LCD)顯示屏具有更高的色彩飽和度及更低的能耗,受各大屏幕生產(chǎn)廠商的青睞。隨著客戶需求的多樣化、大屏化以及高質(zhì)化,顯示面板往大尺寸高分辨率方向發(fā)展,而隨著面板尺寸的增加,也逐漸暴露出一些中小尺寸不突出的缺陷問題,其中影響較大的就是面板的亮度均勻性隨著尺寸增加逐漸變差。
通過分析,導致顯示面板亮度均勻性降低的原因有以下幾種:1)受有源層和相關(guān)無機層的成膜和刻蝕均勻性影響,OLED面板的像素電路的電性不均勻;2)顯示面板內(nèi)的金屬走線變長后,走線電阻和寄生電容增加,從而增加面板遠離信號輸入端的RC loading,導致Data信號充電不充分,進而使遠離輸入端的像素電流低于靠近輸入端的像素電流,最終造成了亮度差異;3)由于OLED器件是電流驅(qū)動器件,根據(jù)U=I*R公式,顯示面板點亮時各位置有不同的VDD/VSS壓降(又稱IR Drop效應(yīng)),VDD降低、VSS增加會使像素亮度偏低,導致面板亮度不均勻。
對于IR Drop效應(yīng)造成的亮度不均,可以通過增加輔助電極,將陰極層與輔助電極并聯(lián)在一起,以降低電阻值。而陰極與輔助電極并聯(lián)的電阻則主要受接觸孔的結(jié)構(gòu)影響。
圖1是現(xiàn)有顯示面板中陰極接觸孔的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,在接觸孔900內(nèi),輔助電極91設(shè)置于所述陽極92的下方并與所述陽極92電性連接,所述發(fā)光層93設(shè)置所述陽極92上,所述陰極層94設(shè)置于所述發(fā)光層93上。很顯然地,陽極92和陰極層94之間的有機發(fā)光材料會影響輔助電極和陰極層之間電阻。
尤其地,在大尺寸顯示面板中,當顯示面板的像素設(shè)計采用Side-By-Side方式,并且采用噴墨打印制備OLED器件時,發(fā)光器件的有機層可能會覆蓋接觸孔,影響輔助電極和陰極層之間電阻。例如,發(fā)光器件的發(fā)光層會覆蓋輔助電極接觸孔。因此,接觸孔的電阻主要受輔助電極和陰極中間的有機層電阻影響。
在對現(xiàn)有技術(shù)的研究和實踐過程中,本申請的申請人研究出一種顯示面板及顯示裝置,以解決上述技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種顯示面板及顯示裝置,其能克服發(fā)光層對輔助電極和陰極中間并聯(lián)電阻的影響,降低陰極層的電阻,進而降低顯示面板整體的IR Drop效應(yīng)。
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板,包括陣列基板、設(shè)置于陣列基板上的電極層、設(shè)置于電極層上的發(fā)光層和設(shè)置于所述發(fā)光層上的陰極層;
其中所述電極層包括間隔設(shè)置于所述陣列基板上的陽極和接觸電極;
其中所述接觸電極具有圖案化圖形,所述接觸電極穿過所述發(fā)光層與所述陰極層接觸。
可選地,本申請的一些實施例中,所述顯示面板還包括設(shè)置于所述電極層和所述發(fā)光層之間的像素定義層;
所述像素定義層具有暴露出所述陽極的像素開口和暴露出所述接觸電極的接觸孔;
所述發(fā)光層和所述陰極層均延伸至所述接觸孔內(nèi),在所述接觸孔內(nèi),所述接觸電極穿過所述發(fā)光層與所述陰極層接觸。
可選地,本申請的一些實施例中,所述接觸電極的圖案化圖形為同心多環(huán)狀圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





