[發(fā)明專利]射頻芯片結(jié)構(gòu)和增加射頻芯片隔離度的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110459658.9
• 申請(qǐng)日: 2021-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN113141192A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張松柏;盛懷茂;施穎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 芯樸科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H04B1/40
• 分類號(hào): H04B1/40;H04B7/0413
• 代理公司: 上海和華啟核知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31339
• 代理人: 余昌昊

1.一種射頻芯片結(jié)構(gòu)，包括：

集成在一個(gè)芯片中的多個(gè)射頻模塊，所述芯片外圍和相鄰所述射頻模塊之間設(shè)置有隔離環(huán)，所述隔離環(huán)位于相鄰所述射頻模塊之間的中間部分接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻模塊包括低噪聲放大器、射頻開關(guān)、濾波器、功率放大器、巴倫、耦合器、混頻器或功率合成器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中間部分通過襯底的背面接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離環(huán)包括金屬層、氧化層、鈍化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離環(huán)與芯片內(nèi)部電路之間間距大于等于芯片制造時(shí)最小距離。

6.一種增加射頻芯片隔離度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S100、在襯底上形成隔離環(huán)，所述隔離環(huán)包括外圍部分及至少一個(gè)連接所述外圍部分對(duì)側(cè)的中間部分；

S200、將所述中間部分接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增加射頻芯片隔離度的方法，其特征在于，在步驟S200中，從所述襯底的背面將所述中間部分接地。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增加射頻芯片隔離度的方法，其特征在于，還包括：在所述隔離環(huán)中形成多個(gè)射頻模塊，相鄰射頻模塊由所述中間部分隔離。