[發明專利]自支撐VO2

有效

• 申請號: 202110459285.5
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113388812B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 馬赫;張新平
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/28;C23C14/35;C23C14/58;G02F1/00;G01B21/32
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 王勤思

1.一種自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基底上形成VO₂薄膜，所述VO₂薄膜厚度為20nm及以上，所述VO₂薄膜具有多個納米孔洞，單位面積內所述納米孔洞個數為1個/μm²~3個/μm²，所述VO₂薄膜中面積為500nm²~2500nm²的所述納米孔洞的占比為45%及以上；以及

采用刻蝕液將所述基底刻蝕。

2.根據權利要求1所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，所述基底為SiO₂基底，所述刻蝕液為氫氟酸或含氫氟酸的刻蝕液。

3.根據權利要求1所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成VO₂薄膜的方法為磁控濺射鍍膜法。

4.根據權利要求2所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成VO₂薄膜的方法為磁控濺射鍍膜法，所述磁控濺射鍍膜法制備VO₂薄膜的工藝參數包括：以氬氣作為濺射氣氛，氬氧混合氣體作為反應氣體，濺射氣氛的氣流量為17sccm ~22 sccm，反應氣體的氣流量為28sccm~33 sccm，基底溫度為20℃~100℃，濺射功率為55W~60W，濺射氣壓為0.55Pa~0.65 Pa，濺射時間≥5min。

5.根據權利要求3所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射法的退火溫度為400℃~500℃，退火氣壓為0.4Pa ~0.5Pa，退火時間為10min~30min。

6.根據權利要求1所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，所述VO₂薄膜為過渡金屬摻雜的VO₂薄膜。

7.根據權利要求6所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法，其特征在于，所述過渡金屬為鎢。

8.由權利要求1~7任一項所述的自支撐VO₂薄膜的制備方法制備得到的VO₂薄膜。

9.一種柔性光電子器件，其特征在于，包括如權利要求8所述的VO₂薄膜。

10.根據權利要求9所述的柔性光電子器件，其特征在于，柔性光電子器件為柔性光調制器、柔性應變傳感器或柔性驅動器中的任意一種。