[發(fā)明專利]像素和包括像素的顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110458628.6 | 申請日: | 2021-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN113644093A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸贊宰;樸幸源;李相德 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 包括 顯示裝置 | ||
本申請公開了像素和包括像素的顯示裝置。像素包括:第一電極和第二電極,在襯底上在第一方向上彼此間隔開;多個發(fā)光元件,位于第一電極和第二電極之間;中間圖案,在第一方向上位于第一電極和第二電極之間并且在襯底的厚度方向上位于襯底和多個發(fā)光元件之間;第一接觸電極,電連接發(fā)光元件中的每個的一個端部和第一電極;以及第二接觸電極,將發(fā)光元件中的每個的另一端部與第二電極電連接。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2020年4月27日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2020-0051030號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益,該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本公開涉及一種像素和包括像素的顯示裝置。
背景技術
隨著對信息顯示的增加的興趣和對便攜式信息介質的高需求,顯示裝置相應地受到了高需求,并且顯示裝置的商業(yè)化得到了加強。
在本背景技術部分中公開的上述信息僅用于增強對本公開的背景的理解,且因此其可以包括不構成現(xiàn)有技術的信息。
發(fā)明內容
本公開旨在提供一種像素和包括該像素的顯示裝置,該像素和顯示裝置可以通過在發(fā)光元件和襯底之間設置中間圖案來提高從發(fā)光元件發(fā)射的光的發(fā)光效率。
本公開的一個或更多示例性實施例可以提供一種像素,其包括:第一電極和第二電極,在襯底上在第一方向上彼此間隔開;多個發(fā)光元件,位于第一電極和第二電極之間;中間圖案,在第一方向上位于第一電極和第二電極之間,并且在襯底的厚度方向上位于襯底和多個發(fā)光元件之間;第一接觸電極,電連接發(fā)光元件中的每個的一個端部和第一電極;以及第二接觸電極,將發(fā)光元件中的每個的另一端部與第二電極電連接。這里,中間圖案的一側可以在第一方向上與第一電極隔開并且它們之間具有第一間隙,而中間圖案的另一側可以在第一方向上與第二電極隔開并且它們之間具有第二間隙。中間圖案可以包括與第一電極和第二電極相同的材料。
在平面圖中,中間圖案可以與發(fā)光元件重疊。
第一電極和第二電極以及中間圖案可以設置在相同的層上。
第一間隙和第二間隙可以彼此相同或不同。
第一間隙和第二間隙中的每個可以小于發(fā)光元件中的每個的、平行于發(fā)光元件中的每個的延伸方向的長度。中間圖案在第一方向上的寬度可以大于發(fā)光元件中的每個的長度。
像素還可以包括位于第一電極和第二電極以及中間圖案上并且位于發(fā)光元件下方的絕緣層。這里,絕緣層可以暴露第一電極的一部分和第二電極的一部分,并且可以完全覆蓋中間圖案。
中間圖案可以被絕緣層覆蓋以與第一電極、第二電極、第一接觸電極和第二接觸電極電絕緣。
中間圖案可以在圖像顯示方向上反射從發(fā)光元件中的每個發(fā)射的光。
像素還可以包括位于襯底和第一電極之間的第一壩圖案以及位于襯底和第二電極之間的第二壩圖案。這里,中間圖案的一側可對應于第一壩圖案,而中間圖案的另一側可對應于第二壩圖案。
第一電極和中間圖案的一側可以在第一壩圖案上彼此間隔開并且它們之間具有第一間隙,且第二電極和中間圖案的另一側可以在第二壩圖案上彼此間隔開并且它們之間具有第二間隙。
像素還可以包括在第一方向上與第一電極間隔開的第一虛設圖案以及在第一方向上與第二電極間隔開的第二虛設圖案。
這里,在平面圖中,第一電極可以位于第一虛設圖案和中間圖案之間。在平面圖中,第二電極可以位于第二虛設圖案和中間圖案之間。
第一圖案和第二虛設圖案可以包括與第一電極和第二電極相同的材料,并且可以位于與第一電極和第二電極相同的層上。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





