[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110458133.3
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113192890A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 王二偉;顧立勛;夏余平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成半導體結構，所述半導體結構包括襯底以及位于所述襯底內的高壓阱區和低壓阱區，所述高壓阱區上覆蓋有第一氧化層，所述低壓阱區上覆蓋有第二氧化層；

在所述第一氧化層和所述第二氧化層上形成氮化硅層并圖案化所述氮化硅層；

刻蝕所述所述第一氧化層和第二氧化層直至所述襯底中，形成凹槽；

通過清洗劑對所述凹槽進行清洗，所述清洗劑包括氫氟酸；

通過熱氧化在暴露于所述凹槽內的襯底表面形成襯墊氧化物；

通過沉積工藝在所述凹槽內和所述氮化硅上沉積介電層；

以所述氮化硅層作為停止層對所述介電層進行研磨，在所述凹槽內形成淺溝道隔離結構。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氮化硅層上還形成有氮氧化硅層，在對溝槽進行清洗之前，去除所述氮氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，第一氧化層的厚度大于第二氧化層的厚度。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高壓阱區包括多個第一摻雜類型阱和多個第二摻雜類型阱，所述第一摻雜類型阱和所述第二摻雜類型阱間隔分布。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離凹槽位于所述第一摻雜類型阱和所述第二摻雜類型之間，以及所述高壓阱區與所述低壓阱區之間。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述凹槽內形成淺溝道隔離結構的步驟之后，還包括：

在所述第一氧化層和所述第二氧化層的表面上形成陣列結構，形成所述陣列結構的步驟包括在所述第一氧化層和所述第二氧化層的表面上形成柵疊層結構、貫穿所述柵疊層結構的多個溝道柱以及形成多個導電通道，部分所述導電通道貫穿所述柵疊層結構。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半導體器件為3D存儲器件。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述凹槽內形成淺溝道隔離的步驟之后，還包括：

在所述第一氧化層和所述第二氧化層的表面上形成柵極導體層和柵極側墻；

在所述高壓阱區和低壓阱區中形成源/漏區。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述半導體器件為互補金屬氧化物半導體。