[發(fā)明專利]具有高線性度的大信號輸出擺幅驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110458112.1
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113114127B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設計）人: 陳瑩梅;李露露;朱恩
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學;網(wǎng)絡通信與安全紫金山實驗室
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種具有高線性度的大信號輸出擺幅驅(qū)動電路，其特征在于，電路具體包括：

晶體管Q₁的基極分別與輸入電壓V_inp和晶體管Q₄的基極連接，晶體管Q₁的集電極分別與電阻R₁的第一端和晶體管Q₃的集電極連接，晶體管Q₁的發(fā)射極分別與MOS管M₁的漏極、電阻R₃的第一端和電容C₁的第一端連接，電阻R₃和電容C₁相并接；

晶體管Q₂的基極分別與輸入電壓V_inn和晶體管Q₃的基極連接，晶體管Q₂的集電極分別與電阻R₂的第一端和晶體管Q₄的集電極連接，晶體管Q₂的發(fā)射極分別與MOS管M₂的漏極、電阻R₃的第二端和電容C₁的第二端連接；

晶體管Q₃的發(fā)射極分別與MOS管M₃的漏極、電阻R₄的第一端和電容C₂的第一端連接，電阻R₄和電容C₂相并接；

晶體管Q₄的發(fā)射極分別與MOS管M₄的漏極、電阻R₄的第二端和電容C₂的第二端連接；

MOS管M₁的柵極分別與直流偏置電壓V_bias、MOS管M₂、M₃、M₄的柵極連接，MOS管M₁的源極分別與GND地、MOS管M₂、M₃、M₄的源極連接；

電阻R₁的第二端和電阻R₂的第二端與電源電壓V_DD連接；

所述晶體管Q₁的集電極和晶體管Q₃的集電極為輸出節(jié)點V_outn；所述晶體管Q₂的集電極和晶體管Q₄的集電極為輸出節(jié)點V_outp；

所述電阻R₃和電容C₁的取值滿足：R₃C₁=R₁C_L，其中，C_L表示輸出節(jié)點V_outn和V_outp處的負載電容；

所述電阻R₃的取值可調(diào)，用于不同程度的非線性預失真；

所述晶體管Q₁的跨導為g_m，放大器的等效跨導表達式為：

，

其中，表示電容C₁和電阻R₃反饋電路的并聯(lián)阻抗，s=jω，當，放大器的帶寬擴展倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高線性度的大信號輸出擺幅驅(qū)動電路，其特征在于，所述電阻R₄的取值可調(diào)，用于不同程度的非線性預失真。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高線性度的大信號輸出擺幅驅(qū)動電路，其特征在于，所述電路采用BiCMOS工藝實現(xiàn)。