[發明專利]用于反射型掩模坯料的帶膜的基板和反射型掩模坯料

在審

• 申請號: 202110458020.3
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113568269A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 寺澤恒男;金子英雄;稻月判臣;高坂卓郎
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 陳冠欽

1.用于反射型掩模坯料的帶膜的基板，包括：基板、在所述基板的主表面上形成并反射極紫外(EUV)光的多層反射膜、和與所述多層反射膜相接地形成的保護膜，其中

所述多層反射膜具有其中將鉬(Mo)層和硅(Si)層交替地層疊且具有最上層硅(Si)層的周期性層疊結構，并且在所述鉬(Mo)層和所述硅(Si)層之間的一個邊界部存在一個含有Mo和Si的混合層，

所述保護膜含有釕(Ru)作為主成分，且在所述最上層硅(Si)層與所述保護膜之間的另一邊界部生成含有Ru和Si的另一混合層，并且

以下定義的膜和層的厚度滿足下述表達式(1)至(3)的全部：

5.3≤T_upSi+T_RuSi+T_Ru/2≤5.5 (1)

1.1≤T_Ru/2-(T_Si-T_upSi)≤1.3 (2)

3.0≤T_Ru≤4.0 (3)

其中T_Ru(nm)表示所述保護膜的厚度，T_RuSi(nm)表示在所述最上層硅(Si)層和所述保護膜之間的所述另一邊界部的所述另一混合層的厚度，T_upSi(nm)表示除混合層外的所述最上層硅(Si)層的厚度，且T_Si(nm)表示在所述最上層硅(Si)層下方的周期性層疊結構中的除混合層外的所述硅(Si)層的厚度。

2.根據權利要求1所述的用于反射型掩模坯料的帶膜的基板，其中，相對于EUV光的入射角1.3至10.7°的范圍內的最低反射率R_min(％)滿足下述表達式(4)：

R_min≥72-2×T_Ru (4)

其中T_Ru表示所述保護膜的厚度(nm)。

3.反射型掩模坯料，包括：根據權利要求1或2所述的用于反射型掩模坯料的帶膜的基板、在所述保護膜上形成并吸收極紫外(EUV)光的吸收體膜、和在所述基板的相反側的主表面上形成的導電層。