[發明專利]一種基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器

在審

• 申請號: 202110457676.3
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113206166A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 王穎;張立龍;郭浩民;李亞男;曹菲
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01L31/118
• 分類號: H01L31/118;G01T1/24
• 代理公司: 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙) 11562
• 代理人: 賈耀淇

1.一種基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，包括由下至上依次設置的背面歐姆接觸電極(5)、N⁺型4H-SiC襯底(1)、N^-型4H-SiC外延層(2)、正面歐姆接觸電極(4)，其特征在于，所述N^-型4H-SiC外延層(2)頂端等間距開設有若干溝槽，所述溝槽表面和所述N⁺型4H-SiC襯底(1)頂端均設置有P⁺摻雜區(3)，所述溝槽內設置有雙層轉換層，所述雙層轉換層與所述P⁺摻雜區(3)相接觸。

2.根據權利要求1所述的基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于：所述雙轉換層包括第一轉換層(7)和第二轉換層(8)，所述第一轉換層(7)和所述第二轉換層(8)均可吸收中子。

3.根據權利要求2所述的基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于：所述第一轉換層(7)沿所述溝槽底部設置，所述第二轉換層(8)位于所述第一轉換層(7)上方。

4.根據權利要求3所述的基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于：所述第一轉換層(7)上方設置有兩第三轉換層(71)，兩所述第三轉換層(71)沿所述溝槽側壁設置，所述第二轉換層(8)位于兩所述第三轉換層(71)之間。

5.根據權利要求4所述的基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于：所述第一轉換層(7)和所述第三轉換層(71)為¹⁰B轉換層，所述第二轉換層(8)為⁶LiF轉換層。

6.根據權利要求4所述的基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于：所述第一轉換層(7)的厚度為2μm-5μm，所述第三轉換層(71)的厚度為1μm-3μm。

7.根據權利要求3所述的基于雙轉換層的溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于：所述第二轉換層(8)頂端與所述N^-型4H-SiC外延層(2)頂端的高度相同。