[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置與其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110457644.3
• 申請(qǐng)日: 2021-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113314526A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林士堯;林志翰;張書(shū)維;蔡雅怡;楊宜偉;古淑瑗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/088
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

一第一半導(dǎo)體鰭狀物，沿著一第一方向延伸；

一第二半導(dǎo)體鰭狀物，亦沿著該第一方向延伸；

一介電結(jié)構(gòu)，位于該第一半導(dǎo)體鰭狀物與該第二半導(dǎo)體鰭狀物之間；

一柵極隔離結(jié)構(gòu)，垂直地位于該介電結(jié)構(gòu)上；

一金屬柵極層，沿著一第二方向延伸，且該第二方向垂直于該第一方向，其中該金屬柵極層包括越過(guò)該第一半導(dǎo)體鰭狀物的一第一部分，與越過(guò)該第二半導(dǎo)體鰭狀物的一第二部分，

其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)使該金屬柵極層的該第一部分與該第二部分彼此分開(kāi)，并包括一底部延伸至該介電結(jié)構(gòu)中。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該介電結(jié)構(gòu)包括亦沿著該第一方向延伸的一介電鰭狀物。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該介電結(jié)構(gòu)包括一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)以埋置該第一半導(dǎo)體鰭狀物與該第二半導(dǎo)體鰭狀物的個(gè)別下側(cè)部分。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該底部具有一弧形為主的下表面。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一柵極間隔物，其中該柵極間隔物包括沿著平行于該第二方向的該金屬柵極層的側(cè)壁延伸的第一部分，以及沿著平行于該第二方向的該柵極隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁延伸的第二部分，其中該柵極間隔物的第二部分沿著該第一方向的厚度小于該柵極間隔物的第一部分沿著該第一方向的厚度。

6.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

一第一晶體管，形成于一基板上并包括：

一第一導(dǎo)體通道；以及

一金屬柵極層的一第一部分，位于該第一導(dǎo)體通道上；

一第二晶體管，形成于該基板上并包括：

一第二導(dǎo)體通道；以及

該金屬柵極層的一第二部分，位于該第二導(dǎo)體通道上；

一介電結(jié)構(gòu)，位于該第一導(dǎo)體通道與該第二導(dǎo)體通道之間：以及

一柵極隔離結(jié)構(gòu)，垂直地位于該介電結(jié)構(gòu)上，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)使該金屬柵極層的該第一部分與該第二部分彼此隔離，且該柵極隔離結(jié)構(gòu)的一下表面垂直地低于該介電結(jié)構(gòu)的上表面。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該介電結(jié)構(gòu)包括一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)以埋置該第一導(dǎo)體通道與該第二導(dǎo)體通道的個(gè)別下側(cè)部分。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該介電結(jié)構(gòu)包括自該基板凸起的一介電鰭狀物。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該柵極隔離結(jié)構(gòu)的下表面具有弧形為主的輪廓。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括：

形成沿著一橫向方向延伸的一第一半導(dǎo)體鰭狀物與一第二半導(dǎo)體鰭狀物于一基板上，其中該第一半導(dǎo)體鰭狀物與該第二半導(dǎo)體鰭狀物彼此隔有一介電結(jié)構(gòu)；以及

形成一柵極隔離結(jié)構(gòu)以垂直地位于該介電結(jié)構(gòu)上，其中該柵極隔離結(jié)構(gòu)分隔一金屬柵極層的一第一部分與一第二部分，其中該金屬柵極層的該第一部分位于該第一半導(dǎo)體鰭狀物上，該金屬柵極層的該第二部分位于該第二半導(dǎo)體鰭狀物上，且該柵極隔離結(jié)構(gòu)包括一底部延伸至該介電結(jié)構(gòu)中。