[發明專利]太陽能電池及其制作方法和光伏組件有效
| 申請號: | 202110457250.8 | 申請日: | 2021-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN112993073B | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 張彼克;金井升;張昕宇 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制作方法 組件 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:
硅基底,所述硅基底包括基區和發射極,所述發射極設置在所述基區的表面上;
位于所述發射極表面的鈍化層;
電極,所述電極貫穿所述鈍化層,并與所述發射極電連接;
所述電極的底面設置有電介質層,所述電介質層位于所述發射極內部,所述電介質層由導電漿料中的氧化劑在所述電極燒結過程中與所述發射極反應生成。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述電介質層的寬度大于等于所述電極的底面寬度。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池,其特征在于,所述電介質層的厚度為1.2~2nm。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,所述電介質層為氧化硅層,所述氧化硅層中氧原子個數和硅原子個數的比值為1.5~2。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池,其特征在于,所述電介質層與所述電極的第一接觸面和所述電介質層與所述發射極的第二接觸面的含氧量的比值小于2;所述第一接觸面的含氧量大于所述第二接觸面的含氧量。
6.根據權利要求1或2所述的太陽能電池,其特征在于,所述電介質層選擇性設置在所述電極的底面,所述電介質層隔離所述電極的底面和所述發射極。
7.一種光伏組件,其特征在于,包括如權利要求1所述的太陽能電池。
8.一種太陽能電池的制作方法,其特征在于,包括:
提供包括基區和發射極的硅基底,其中,所述發射極設置在所述基區的表面上;
在所述發射極表面形成鈍化層;
形成電極和電介質層,所述電極貫穿所述鈍化層,并與所述發射極電連接,所述電極的底面設置有所述電介質層,所述電介質層位于所述發射極內部,在所述電極的燒結過程中,導電漿料中的氧化劑與所述發射極反應生成所述電介質層。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,形成所述電極和所述電介質層的工藝,包括:
將摻入玻璃料和所述氧化劑的所述導電漿料印刷在所述鈍化層表面的預設位置;
加熱第一預設時長至第一燒結溫度,供所述導電漿料燒蝕所述鈍化層,生成所述電極;
在形成所述電極的過程中,所述氧化劑生成氧氣,所述氧氣與所述發射極反應生成所述電介質層;
所述第一預設時長大于50秒。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述加熱第一預設時長至第一燒結溫度,包括:
加熱第二預設時長至第二燒結溫度,再加熱第三預設時長至所述第一燒結溫度,所述第一燒結溫度在550~850℃,所述第三預設時長大于10秒且小于35秒,所述第一預設時長小于100秒。
11.根據權利要求10所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述氧化劑占所述導電漿料重量的0.3%~1%。
12.根據權利要求8所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,形成所述電極和所述電介質層的工藝,包括:
在預設電極位置設置電極凹槽,所述電極凹槽貫穿所述鈍化層,所述電極凹槽的底部位于所述發射極內部;
在所述電極凹槽的底面形成所述電介質層,所述電介質層覆蓋所述電極凹槽的底面;
在所述電極凹槽中形成所述電極,所述電極填充滿所述電極凹槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





