[發明專利]發光二極管結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110456652.6
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113488576A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 莊永漳
• 申請（專利權）人: 鐳昱光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48;H01L25/16
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種發光二極管(LED)結構，所述LED結構包括：

基板，所述基板包括驅動電路；

多個LED單元，所述多個LED單元在所述基板上形成；

鍵合層，所述鍵合層形成在所述基板與所述多個LED單元之間；以及

金屬觸點，所述金屬觸點形成在每個LED單元下方的所述鍵合層中，以將每個LED單元與所述驅動電路的焊盤電連接，

其中，所述金屬觸點的第一截面面積小于每個LED單元的第二截面面積。

2.根據權利要求1所述的LED結構，其中，每個LED單元包括：

第一摻雜型半導體層，所述第一摻雜型半導體層在所述鍵合層上形成；

多量子阱(MQW)層，所述多量子阱在所述第一摻雜型半導體層上形成；和

第二摻雜型半導體層，所述第二摻雜型半導體層在所述MQW層上形成。

3.根據權利要求2所述的LED結構，其中，每個LED單元進一步包括形成在所述第一摻雜型半導體層和所述鍵合層之間的歐姆接觸層，其中，所述金屬觸點的所述第一截面面積小于歐姆接觸層的截面面積。

4.根據權利要求3所述的LED結構，其中，每個LED單元的陽極直接接觸所述歐姆接觸層。

5.根據權利要求1所述的LED結構，其中，所述金屬觸點的所述第一截面面積的直徑小于1微米。

6.根據權利要求1所述的LED結構，其中，所述金屬觸點的厚度小于1微米。

7.根據權利要求1所述的LED結構，其中，所述多個LED單元包括第一LED單元和與所述第一LED單元相鄰的第二LED單元，其中，所述第一LED單元的所述鍵合層水平地延伸到與所述第一LED單元相鄰的所述第二LED單元的所述鍵合層。

8.根據權利要求1所述的LED結構，其中，所述多個LED單元共享公共陰極。

9.一種發光二極管(LED)結構，所述LED結構包括：

基板，所述基板包括驅動電路；

多個LED單元，所述多個LED單元在所述基板上形成；和

非導電鍵合層，所述非導電鍵合層將所述基板和所述多個LED單元結合，

其中，所述非導電鍵合層中被嵌入金屬觸點，并且所述金屬觸點和所述非導電鍵合層的一部分一體地形成在每個LED單元下方。

10.根據權利要求9所述的LED結構，其中，所述非導電鍵合層由聚酰亞胺(PI)，聚二甲基硅氧烷(PDMS)，SU-8光刻膠或聚甲基戊二酰亞胺(PMGI)形成。

11.根據權利要求9所述的LED結構，其中，所述金屬觸點將每個LED單元與所述驅動電路的焊盤電連接。

12.根據權利要求11所述的LED結構，其中，每個LED單元包括形成在所述金屬觸點和所述部分非導電鍵合層上的歐姆接觸層，并且所述金屬觸點將所述歐姆接觸層與所述驅動電路的所述焊盤電連接。

13.根據權利要求12所述的LED結構，其中，每個LED單元的陽極直接接觸所述歐姆接觸層。

14.一種制造種發光二極管(LED)結構的方法，包括：

在第一基板中形成具有多個焊盤的驅動電路；

在第一基板上形成多個金屬觸點，并且每個金屬觸點都位于所述多個焊盤中的一個上；

在所述第一基板上形成非導電鍵合層，以覆蓋所述多個焊盤和所述多個金屬觸點；以及

在所述非導電鍵合層上形成多個LED單元，

其中，每個LED單元都通過所述多個金屬觸點之一電連接到所述多個焊盤之一。