[發(fā)明專(zhuān)利]一種鈣鈦礦薄膜、鈣鈦礦LED器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110455751.2
• 申請(qǐng)日: 2021-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113161452B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張翔暉;沈杰;胡永明;顧豪爽;吳子田
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 湖北大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/26
• 代理公司: 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401
• 代理人: 張文俊

1.一種鈣鈦礦LED器件，其特征在于，包括：

襯底；

空穴傳輸層，位于所述襯底的一側(cè)面；

鈣鈦礦薄膜，位于所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面；

電子傳輸層，位于所述鈣鈦礦薄膜遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面；

金屬電極層，位于所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面；

其中，所述鈣鈦礦薄膜的制備方法為：將148.8mg溴化銫和171.12mg溴化鉛以及2-氨基-2-(4-溴苯基)乙酸溶于2ml的二甲亞砜(DMSO)溶劑中，于60℃攪拌24h使物料溶解，靜置，得到鈣鈦礦溶液；取30μL的鈣鈦礦溶液以3000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂到空穴傳輸層表面，旋涂完成后于70℃下，加熱10min，即得鈣鈦礦薄膜；其中，旋涂時(shí)間為60s，在旋涂過(guò)程中滴加氯苯作為反溶劑，其中氯苯的滴加時(shí)間為旋涂的后30s，滴加氯苯量為200μl；其中，加入的2-氨基-2-(4-溴苯基)乙酸質(zhì)量為溴化銫和溴化鉛質(zhì)量之和的20％。

2.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦LED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為氧化鎳；

和/或，所述電子傳輸層的材料為氧化鋅；

和/或，所述金屬電極層的材料為鋁。

3.一種鈣鈦礦LED器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底；

在所述襯底一側(cè)面制備空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面制備鈣鈦礦薄膜；

在所述鈣鈦礦薄膜遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面制備電子傳輸層；

在所述電子傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面制備金屬電極層；

其中，所述鈣鈦礦薄膜的制備方法為：將148.8mg溴化銫和171.12mg溴化鉛以及2-氨基-2-(4-溴苯基)乙酸溶于2ml的二甲亞砜(DMSO)溶劑中，于60℃攪拌24h使物料溶解，靜置，得到鈣鈦礦溶液；取30μL的鈣鈦礦溶液以3000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂到空穴傳輸層表面，旋涂完成后于70℃下，加熱10min，即得鈣鈦礦薄膜；其中，旋涂時(shí)間為60s，在旋涂過(guò)程中滴加氯苯作為反溶劑，其中氯苯的滴加時(shí)間為旋涂的后30s，滴加氯苯量為200μl；其中，加入的2-氨基-2-(4-溴苯基)乙酸質(zhì)量為溴化銫和溴化鉛質(zhì)量之和的20％。

4.如權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦LED器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層的制備方法包括以下步驟：

將乙酸鎳溶解在醇溶劑中，再加入單乙醇胺，攪拌后得到氧化鎳前驅(qū)體；

將氧化鎳前驅(qū)體涂覆在所述襯底上，退火后得到氧化鎳薄膜即為空穴傳輸層。

5.如權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦LED器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的制備方法，包括以下步驟：

將氫氧化鉀加入至醇中，攪拌，得到氫氧化鉀醇溶液；

將二水乙酸鋅加入至醇中，攪拌，得到二水乙酸鋅醇溶液；

將氫氧化鉀醇溶液加入至二水乙酸鋅醇溶液中，加熱后過(guò)濾得到沉淀；

將沉淀分散至氯苯中得到氧化鋅氯苯溶液，將氧化鋅氯苯溶液涂覆至鈣鈦礦薄膜表面，退火后得到氧化鋅薄膜即為電子傳輸層。

6.如權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦LED器件的制備方法，其特征在于，所述金屬電極層的制備方法為：以鋁絲為蒸發(fā)源以蒸鍍法在電子傳輸層表面制備得到鋁，即為電子傳輸層。