[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110455421.3
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113109972A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁洪亮;張勇;鐘璇;楊智超;王建;畢洪生;鄧祁;趙欣欣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

本申請?zhí)峁┮环N陣列基板、顯示面板及顯示裝置。所述陣列基板包括襯底、位于襯底上的電極層、位于電極層上的絕緣層及位于絕緣層上的公共電極層。電極層包括多個(gè)像素電極、多個(gè)數(shù)據(jù)線及多個(gè)輔助信號線，輔助信號線連接穩(wěn)定的電信號。相鄰兩個(gè)像素電極之間設(shè)置有一個(gè)數(shù)據(jù)線或一個(gè)輔助信號線。同一像素電極的相對兩側(cè)中，其中一側(cè)設(shè)有數(shù)據(jù)線，另一側(cè)設(shè)有輔助信號線。像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離大于像素電極與相鄰的輔助信號線之間的距離。公共電極層包括多個(gè)間隔設(shè)置的條狀電極，每一像素電極上對應(yīng)設(shè)置有兩個(gè)或兩個(gè)以上條狀電極；條狀電極在襯底上的正投影落在對應(yīng)的像素電極在襯底上的正投影內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

ADS(Advanced Super Dimensional Switching，高級超維場開關(guān))型液晶顯示面板具有視角廣、色偏小等優(yōu)勢，是當(dāng)今主流的顯示面板。

現(xiàn)有的ADS型液晶顯示面板發(fā)生屏幕閃爍的幾率較大，影響用戶的使用體驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實(shí)施例的第一方面提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括：

襯底；

位于所述襯底上的電極層，所述電極層包括多個(gè)像素電極、多個(gè)數(shù)據(jù)線及多個(gè)輔助信號線，所述輔助信號線連接穩(wěn)定的電信號；相鄰兩個(gè)所述像素電極之間設(shè)置有一個(gè)所述數(shù)據(jù)線或一個(gè)所述輔助信號線；同一所述像素電極的相對兩側(cè)中，其中一側(cè)設(shè)有所述數(shù)據(jù)線，另一側(cè)設(shè)有所述輔助信號線；所述像素電極與相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間的距離大于所述像素電極與相鄰的所述輔助信號線之間的距離；

位于所述電極層上的絕緣層；

位于所述絕緣層上的公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)間隔設(shè)置的條狀電極，每一像素電極上對應(yīng)設(shè)置有兩個(gè)或兩個(gè)以上所述條狀電極；所述條狀電極在所述襯底上的正投影落在對應(yīng)的所述像素電極在所述襯底上的正投影內(nèi)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述公共電極層還包括多個(gè)屏蔽電極，每一所述數(shù)據(jù)線上方對應(yīng)設(shè)置有一個(gè)所述屏蔽電極，每一所述輔助信號線上方對應(yīng)設(shè)置有一個(gè)所述屏蔽電極；所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影的邊緣位于該數(shù)據(jù)線對應(yīng)的屏蔽電極在所述襯底上的正投影邊緣內(nèi)側(cè)；所述輔助信號線在所述襯底上的正投影的邊緣位于該輔助信號線對應(yīng)的屏蔽電極在所述襯底上的正投影邊緣內(nèi)側(cè)；

所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影的邊緣與該數(shù)據(jù)線對應(yīng)的屏蔽電極在所述襯底上的正投影的同側(cè)邊緣之間的距離為第一距離，所述輔助信號線在所述襯底上的正投影的邊緣與該輔助信號線對應(yīng)的屏蔽電極在所述襯底上的正投影的同側(cè)邊緣之間的距離為第二距離，所述第一距離大于所述第二距離。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一距離大于或等于3.0μm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述輔助信號線與所述公共電極層電連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述像素電極與相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間的距離范圍為4.5μm～5μm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述像素電極在襯底上的正投影的邊緣、與其上方對應(yīng)設(shè)置的靠近該邊緣的所述條狀電極在所述襯底上的正投影位于同側(cè)的邊緣之間的距離≥2.9μm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述條狀電極的寬度與位于同一所述像素電極上方且相鄰的兩個(gè)條狀電極之間的距離的比值范圍為50％～60％。

在一個(gè)實(shí)施例中，同一像素電極上方設(shè)置的各所述條狀電極的寬度相同。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線的寬度大于所述輔助信號線的寬度，所述數(shù)據(jù)線的寬度等于工藝最小尺寸。