[發明專利]一種聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202110454844.3 | 申請日： | 2021-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN113292826A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 王愛萍;隋晶 | 申請（專利權）人： | 中國海洋大學;青島科技大學 |
| 主分類號： | C08L65/00 | 分類號： | C08L65/00;C08K3/08;C08G61/12;G01N27/30 |
| 代理公司： | 濟南格源知識產權代理有限公司 37306 | 代理人： | 韓洪淼 |
| 地址： | 266100 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二氧 噻吩 納米 纖維 粒子 復合材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料的制備方法，包括以下步驟：
(1)將3,4-乙撐二氧噻吩單體溶于CH2Cl2中，作為底部有機層O；
(2)將HAuCl4配置成水溶液，作為水相層W；
(3)將步驟(2)中的水相層W溶液沿著甁壁輕輕倒入步驟(1)中的有機層O的上層，建立液/液界面體系；
(4)靜置反應,收集上層溶液，依次用乙醇、去離子水反復離心洗滌除去雜質,產物在70℃條件下真空干燥，即制得聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)具體為，將25μL3,4-乙撐二氧噻吩單體溶于5mLCH2Cl2中，作為底部有機層O。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)具體為，將0.425mL質量濃度為8％的HAuCl4配置成20mL的水溶液，作為水相層W。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，3,4-乙撐二氧噻吩單體與氯金酸的摩爾比為10：1。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，在室溫條件下,靜置反應10h。
6.如權利要求1-5任一項所述制備方法獲得的聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料。
7.如權利要求6獲得的聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料在構建亞硝酸鹽傳感器中的應用。
8.將如權利要求6獲得的聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料在修飾電極用于構建亞硝酸鹽傳感器中的應用。
9.如權利要求7或8所述應用中，所述的亞硝酸鹽傳感器檢測極限為8.9μM，線性范圍為20μM-1200μM。
10.如權利要求8所述的應用，具體包括以下步驟：
①取聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料分散在二甲基甲酰胺(DMF)中，超聲分散1h,得到均勻分散的聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子-DMF溶液；聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子復合材料分散液的濃度為1.5mg/mL；
②將聚3,4-乙撐二氧噻吩納米纖維/金納米粒子-DMF溶液滴加到直徑3mm玻碳電極表面，室溫干燥24h后制得修飾電極；
③將步驟②中制得修飾電極用于溶液中亞硝酸鹽的電化學檢測。
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