[發明專利]一種驅動控制方法及其電路

有效

• 申請號: 202110454049.4
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113193735B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 廣州金升陽科技有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/088
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種驅動控制方法，其特征在于，包括如下步驟：

邊沿調制步驟，將輸入信號PWM的上升沿調制成一個固定脈寬的正脈沖，并且在輸入信號PWM為持續高電平的狀態下，以一定周期產生多個連續的正脈沖；將輸入信號PWM的下降沿調制成一個固定脈寬的負脈沖，并且在輸入信號PWM為持續低電平的狀態下，以一定周期產生多個連續的負脈沖；連續正脈沖和連續負脈沖的寬度及周期按需調整；

傳輸步驟，通過隔離變壓器將邊沿調制步驟產生的正負脈沖以隔離的形式從原邊傳遞到副邊；

儲能步驟，將隔離變壓器傳遞至副邊的正負脈沖的能量儲存起來，用以給后續步驟供電；

邏輯處理步驟，將隔離變壓器傳遞至副邊的正負脈沖解調為與輸入信號相同的驅動信號，具體為，將隔離變壓器傳遞至副邊的第一個正脈沖解調為驅動信號的上升沿并保持高電平，在有多個連續正脈沖時，維持高電平；將隔離變壓器傳遞至副邊的第一個負脈沖解調為驅動信號的下降沿并保持低電平或者負電平，在有多個連續負脈沖時，維持低電平或者負電平；

驅動步驟，將邏輯處理步驟解調出來的驅動信號放大，并在邏輯處理步驟輸出高電平時，將儲能步驟的能量傳遞至被驅動的功率半導體器件的柵極以打開被驅動的功率半導體器件，在邏輯處理步驟輸出低電平或者負電平時，終止儲能步驟的能量向功率半導體器件的柵極傳遞，并將功率半導體器件的柵極連接至副邊的地SGND以關斷被驅動的功率半導體器件。

2.一種驅動控制電路，運用權利要求1所述控制方法，其特征在于：包括邊沿調制電路、隔離變壓器、儲能電路、邏輯電路和驅動電路；邊沿調制電路用于實現邊沿調制步驟，儲能電路用于實現儲能步驟，邏輯電路用于實現邏輯處理步驟，驅動電路用于實現驅動步驟；邊沿調制電路的第一輸入端接電壓Vgs，邊沿調制電路的第二輸入端接輸入信號PWM，邊沿調制電路地端接地GND，邊沿調制電路的第一輸出端接隔離變壓器原邊繞組的同名端，邊沿調制電路的第二輸出端接隔離變壓器原邊繞組的異名端；隔離變壓器副邊繞組的同名端連接到儲能電路的輸入端和邏輯電路的第一輸入端；儲能電路的輸出端連接到邏輯電路的第二輸入端和驅動電路的第一輸入端；邏輯電路的輸出端連接到驅動電路的第二輸入端；驅動電路的輸出端作為驅動輸出端口連接到被驅動功率半導體器件的柵極；隔離變壓器副邊繞組的異名端同時連接到儲能電路的地端、邏輯電路的地端和驅動電路的地端，作為驅動輸出地SGND連接到被驅動功率半導體器件的源極。

3.根據權利要求2所述的驅動控制電路，其特征在于：所述儲能電路包含二極管D1和電容C1，隔離變壓器副邊繞組的同名端與二極管D1的陽極相連，二極管D1的陰極與電容C1的一端相連，作為儲能電路的輸出端；電容C1的另一端連接至隔離變壓器副邊繞組的異名端，同時接地SGND；邏輯電路包含二極管D2、二極管D3、開關管S1、開關管S2、電阻R1、電阻R2、穩壓管Z1和穩壓管Z2；其中開關管S1為P溝道MOS管，開關管S2為N溝道MOS管；二極管D2的陽極連接至二極管D3的陰極，作為邏輯電路的輸入端連接至隔離變壓器副邊繞組的同名端；二極管D2的陰極連接至開關管S1的源極；二極管D3的陽極連接至開關管S2的源極；開關管S2的漏極連接至電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接至開關管S1的漏極同時連接至穩壓管Z1的陽極作為邏輯電路的輸出端；穩壓管Z1的陰極連接至穩壓管Z2的陰極；開關管S2的柵極連接至電阻R2的一端，電阻R2的另一端同時連接至隔離變壓器副邊繞組的異名端、開關管S1的柵極和穩壓管Z2的陽極，還連接至地SGND；驅動電路，包含開關管S3和開關管S4，其中開關管S3為N溝道MOS管，開關管S4為P溝道MOS管；開關管S3的漏極作為驅動電路的第一輸入端連接至儲能電路的輸出端；開關管S3的源極連接至開關管S4的源極作為驅動電路的輸出端連接至被驅動功率半導體器件的柵極；開關管S3的柵極連接至開關管S4的柵極作為驅動電路的第二輸入端，連接至邏輯電路的輸出端；開關管S4的漏極連接至副邊接地SGND同時連接被驅動功率半導體器件的源極。