[發明專利]一種掩膜板、制備及其應用在審
| 申請號： | 202110453539.2 | 申請日： | 2021-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN113201710A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 茆勝 | 申請（專利權）人： | 睿馨（珠海）投資發展有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/04 | 分類號： | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 劉少偉 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掩膜板 制備 及其 應用 | ||
1.一種掩膜板，其特征在于，包括至少兩層：第一掩膜層和第二掩膜層；
所述第一掩膜層含有殘余拉應力的第一材料；所述第二掩膜層含有殘余壓應力的第二材料；
所述第一掩膜層和第二掩膜層都保留了其在剛性基板上形成時殘余應力的特征；當所述掩膜板釋放其內部殘余應力，所述第二掩膜層橫向膨脹，所述第一掩膜層橫向收縮，所述掩膜板被殘余應力共同作用達到最低的應變能狀態。
2.根據權利要求1所述的一種掩膜板，其特征在于，所述第一材料為氮化硅，所述第二材料為二氧化硅。
3.根據權利要求1或2所述的一種掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜層的厚度為50nm，殘余拉應力1GPa。
4.根據權利要求1或2所述的一種掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜層的厚度為1微米，殘余壓應力400MPa。
5.一種掩膜板的制備方法，其特征在于，包括：
基板，該基板可提供剛性特征；
在所述基板上形成掩膜板；
所述掩膜板，包括至少兩層：第一掩膜層和第二掩膜層；
所述第一掩膜層含有殘余拉應力的第一材料；所述第二掩膜層含有殘余壓應力的第二材料；
所述第一掩膜層和第二掩膜層都保留了其在剛性基板上形成時殘余應力的特征；當所述掩膜板釋放其內部殘余應力，所述第二掩膜層橫向膨脹，所述第一掩膜層橫向收縮，所述掩膜板被殘余應力共同作用達到最低的應變能狀態；
所述掩膜板上形成至少一個開口；所述開口貫穿所述掩膜板，所述開口形成所需的圖案；
所述基板在所述掩膜板形成后去除。
6.根據權利要求5所述的一種掩膜板的制備方法，其特征在于，所述形成掩膜板的方法為：低壓化學氣相沉積、原子層外延、等離子體增強化學氣相沉積、或濺射。
7.根據權利要求5所述的一種掩膜板的制備方法，其特征在于，去除基板的方法為：光刻和反應離子刻蝕。
8.一種掩膜板的應用，其特征在于，權利要求1-4任一權利要求所述的掩膜板用于蒸鍍。
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