[發明專利]一種量子點OLED發光器件、顯示裝置及其制備方法

在審

• 申請號: 202110453512.3
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113193132A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 茆勝
• 申請（專利權）人: 睿馨（珠海）投資發展有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346
• 代理人: 劉少偉

1.一種量子點OLED發光器件，其特征在于，自下而上依次包括：

一個硅基板；

一個金屬陽極層；

一個由多個OLED有機功能層組成的藍光OLED結構層，包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層；

一個半透明陰極層；

一個量子點層；

一個彩色過濾層；以及

一個玻璃蓋板；

在所述量子點層和彩色過濾層的上下層面均設有一個密封薄層。

2.根據權利要求1所述的一種量子點OLED發光器件，其特征在于，所述量子點層包括特定比例的紅色量子點材料和綠色量子點材料，所述紅色量子點材料和綠色量子點材料的比例為1:1。

3.根據權利要求2所述的一種量子點OLED發光器件，其特征在于，所述量子點層的量子點材料為ZnCdSe₂，CdSe，CdTe，CuInS₂，ZnCuInS₃中的一種或多種，厚度為0.2-2μm。

4.根據權利要求1所述的一種量子點OLED發光器件，其特征在于，所述密封薄層的材料為Al₂O₃、TiO₂、SiN、SiO₂中的任意一種或者組合，所述密封薄層的厚度為10～200nm；

所述空穴注入層材料為CuPc、CuSCN、MoO3、HATCN、1-TNATA、2-TNATA、m-MTDATA、TCNQ、F4TCNQ中的任意一種，厚度為10-50nm；

所述空穴傳輸層材料為TPD、NPB、TCTA、BTPD、DCDPA中的任意一種，厚度為10-50nm；

所述發光層采用藍色磷光體系，摻雜材料為Flrpic、Flr6中的任意一種，主體材料為CBP、mCP、DCB、PPO1、TPCz、UGH1中的任意一種，所述摻雜材料的占比為1％-15％；

所述電子傳輸層為Bphen、TBPi、TAZ、PBD中的任意一種，厚度為10-30nm；

所述電子注入層材料為LiF、Li2O、Li、Alq3中的任意一種，厚度為1-10nm。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-4任意一項權利要求所述的量子點OLED發光器件。

6.一種量子點OLED發光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1在硅基板上制備陽極；

S2在所述陽極上蒸鍍藍光OLED結構層；其中，所述藍光OLED結構層包括空穴注入層、空穴傳輸層、藍光發光層、電子傳輸層、電子注入層；

S3在所述電子注入層制備半透明陰極層；

S4在所述陰極層上采用原子層沉積或磁控濺射的方法制備第一密封層；

S5在所述第一密封層上采用旋涂成膜工藝制備量子點薄膜層；

S6在所述量子點薄膜層上采用原子層沉積或磁控濺射的方法制備第二密封層；

S7在所述第二密封層上采用彩色光刻膠制作RGB彩色濾光層；

S8在所述濾光層上采用原子層沉積或磁控濺射的方法制備第三密封層；

S9在所述第三密封層上貼蓋玻璃蓋板，即得量子點OLED發光器件。

7.根據權利要求6所述的一種量子點OLED發光器件的制作方法，其特征在于，所述陰極層為雙層復合結構，先使用熱蒸鍍工藝制備鎂銀比例為10：1的金屬層，厚度為5-20nm；再使用磁控濺射工藝，在鎂銀層上制備ITO層，厚度為30-40nm。

8.根據權利要求6所述的一種量子點OLED發光器件的制作方法，其特征在于，所述量子點薄膜層包括特定比例的紅色量子點材料和綠色量子點材料，所述紅色量子點材料和綠色量子點材料的比例為1:1；

所述量子點薄膜層的量子點材料為ZnCdSe₂，CdSe，CdTe，CuInS₂，ZnCuInS₃中的一種或多種，厚度為0.2-2μm。