[發明專利]深豎井及其分區支護方法

在審

• 申請號: 202110453469.0
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113090272A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 孫揚;安建英;陳小偉;劉育明;朱瑞軍;王建中
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: E21D8/00
• 分類號: E21D8/00;E21D5/00;E21D5/04
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 廉世坤

1.一種深豎井，其特征在于，包括：

井筒，所述井筒包括位于表土層內的表土層段、位于淺部基巖層內的淺部基巖層段、位于深部基巖層內的深部基巖層段和位于高應力傾向性地層內的高應力傾向性地層段，所述淺部基巖層段位于所述表土層段的下方，所述深部基巖層段位于所述淺部基巖層段的下方，所述高應力傾向性地層段位于所述深部基巖層段的下方；

表土層支護，所述表土層支護構造在所述表土層段內；

淺部基巖層支護，所述淺部基巖層支護構造在所述淺部基巖層段內，所述淺部基巖層支護位于所述表土層支護的下方；

深部基巖層支護，所述深部基巖層支護構造在所述深部基巖層段內，所述深部基巖層支護位于所述淺部基巖層支護的下方；和

高應力傾向性地層支護，所述高應力傾向性地層支護構造在所述高應力傾向性地層段內，所述高應力傾向性地層支護位于所述深部基巖層支護的下方。

2.根據權利要求1所述的深豎井，其特征在于，

所述表土層段包括表土層穩定地層區段和表土層不良地層區段，所述表土層不良地層區段包括廢石層區段、廢渣層區段、沉砂層區段和淤泥層區段中的至少一者，所述表土層不良地層區段位于所述表土層穩定地層區段的上方或者所述表土層不良地層區段位于兩個所述表土層穩定地層區段的中間；

所述表土層支護包括表土層穩定地層子支護和表土層不良地層子支護，所述表土層不良地層包括廢石層子支護、廢渣層子支護、沉砂層子支護和淤泥層子支護中相應的至少一者。

3.根據權利要求2所述的深豎井，其特征在于，

所述表土層穩定地層子支護構造在所述表土層穩定地層區段內；

所述廢石層子支護構造在所述廢石層區段內；

或者，所述廢渣層子支護構造在所述廢渣層區段內；

或者，所述沉砂層子支護構造在所述沉砂層區段內；

或者，所述淤泥層子支護構造在所述淤泥層區段內。

4.根據權利要求1所述的深豎井，其特征在于，

所述淺部基巖層段包括淺部基巖層穩定地層區段和淺部強風化巖層區段；

所述淺部基巖層支護包括淺部基巖層穩定地層子支護和淺部強風化巖層子支護，所述淺部基巖層穩定地層子支護構造在所述淺部基巖層穩定地層區段內，所述淺部強風化巖層子支護構造在所述淺部強風化巖層區段內。

5.根據權利要求1所述的深豎井，其特征在于，

所述深部基巖層段包括深部基巖層穩定地層區段和深部基巖層不良地層區段，所述高應力傾向性地層段包括高應力傾向性地層穩定地層區段和高應力傾向性地層不良地層區段，所述深部基巖層不良地層區段和所述高應力傾向性地層不良地層區段包括破碎型地層區段、易軟化地層區段和低強度地層區段中的至少一者；

所述深部基巖層支護包括深部基巖層穩定地層子支護和深部基巖層不良地層子支護，所述高應力傾向性地層支護包括高應力傾向性地層穩定地層子支護和高應力傾向性地層不良地層子支護，所述深部基巖層不良地層子支護和所述高應力傾向性地層不良地層子支護包括破碎型地層子支護、易軟化地層子支護和低強度地層子支護中相應的至少一者。

6.根據權利要求5所述的深豎井，其特征在于，所述深部基巖層穩定地層子支護構造在所述深部基巖層穩定地層區段內，所述高應力傾向性地層穩定地層子支護構造在所述高應力傾向性地層穩定地層區段上；

所述破碎型地層子支護構造在所述破碎型地層區段內；

或者，所述易軟化地層子支護構造在所述易軟化地層區段內；

或者，所述低強度地層子支護構造在所述低強度地層區段內。