[發明專利]單晶熒光體及晶體的制造方法

在審

• 申請號: 202110452316.4
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113583674A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 照井達也
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;C30B29/28;C30B15/08;C30B15/34
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;丁哲音

1.一種單晶熒光體，其特征在于，

所述單晶熒光體具有由YAG或LuAG構成的主成分和包含Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Tm及Yb中的至少一種元素的副成分，

在所述單晶熒光體的橫截面中，所述副成分均勻分布的均勻濃度區域位于所述橫截面的中央部，

相對于所述橫截面，所述均勻濃度區域的面積比例為35％以上。

2.根據權利要求1所述的單晶熒光體，其特征在于，

在所述橫截面中，所述均勻濃度區域連續且單獨地存在。

3.根據權利要求1或2所述的單晶熒光體，其特征在于，

在所述橫截面內的所述均勻濃度區域中，所述副成分的平均濃度為0.7原子％以上。

4.根據權利要求1或2所述的單晶熒光體，其特征在于，

在所述橫截面內的所述均勻濃度區域中，所述副成分的平均濃度為1.0原子％以上。

5.根據權利要求1或2所述的單晶熒光體，其特征在于，

在所述均勻濃度區域中，所述副成分的濃度的波動幅度在±0.07原子％的范圍內。

6.根據權利要求3所述的單晶熒光體，其特征在于，

所述主成分由YAG構成，所述副成分為Ce。

7.一種晶體的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：

從坩堝的熔液貯存部將成為晶體原料的熔液導入模具流路的工序；

使導入到所述模具流路的熔液通過所述模具流路所具備的狹窄部的工序；

使所述熔液通過擴展部的工序，所述擴展部的流路截面積從所述狹窄部向模具流出口擴大；

將通過了所述擴展部的熔液從所述模具流出口與晶種一同下拉而使其結晶化的工序。

8.根據權利要求7所述的晶體的制造方法，其中，

所述晶體為單晶熒光體。