[發明專利]一種基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法

有效

• 申請號: 202110452303.7
• 申請日: 2020-07-07
• 公開（公告）號: CN113163529B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 譚化兵;潘智軍
• 申請（專利權）人: 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司
• 主分類號: H05B3/14
• 分類號: H05B3/14;H05B3/34;C01B32/184
• 代理公司: 北京世衡知識產權代理事務所(普通合伙) 11686
• 代理人: 肖淑芳

1.一種基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，包括：

S1、形成PI-銅電極的復合體層，銅電極全部嵌合或局部嵌合到PI膜中；

S2、再在PI膜-銅電極的復合體層表面形成PI材料層，構成PI-銅電極-PI材料層的組合體；

S3、對PI材料層進行LIG處理，激光透導使其形成石墨烯發熱層圖案，構成PI膜-銅電極復合體層-圖案化石墨烯層的結構；和

S4、在圖案化石墨烯層表面封裝保護膜層；

所述S1的具體方法為：

在銅電極表面，涂布熱塑性PI預聚體聚酰胺酸，干燥半固化形成聚酰胺酸膜，再與PI膜進行高溫壓合并亞胺化，形成PI-銅電極復合體；

所述S2的具體方法為：

S2-1、取PI膜，在其表面涂熱塑性PI預聚體聚酰胺酸，干燥形成半固化聚酰胺酸膜，形成PI-聚酰胺酸膜材料，并對PI-聚酰胺酸膜材料開孔；

S2-2、將開孔的PI-聚酰胺酸膜材料覆蓋到S1制得的PI膜-銅電極復合體層表面，開孔對準銅電極，使銅電極通過開孔裸露出來，形成PI-銅電極-聚酰胺酸膜材料-PI的結構件；

S2-3、壓合S2-2得到的結構件，并對完成聚酰胺酸膜材料的進行亞胺化處理，使PI-聚酰胺酸膜材料融合為一體形成完成的一層PI材料層，最終得到PI膜-銅電極-PI材料層的組合體。

2.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S1中，所述干燥的溫度為120-200℃，干燥時間為1-20min。

3.根據權利要求2所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S1中，干燥的溫度為150℃，干燥時間為10min。

4.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S1中，所述亞胺化處理的方法為在高溫下施壓：壓合溫度為250-350℃，壓力為2-10MPa。

5.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S2-1中，所述干燥的溫度為120-200℃，干燥時間為1-20min。

6.根據權利要求5所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S2-1中，干燥的溫度為150℃，干燥時間為10min。

7.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S2-3中，所述亞胺化處理的方法為在高溫下施壓：壓合溫度為250-350℃，壓力為2-10MPa。

8.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S3中，LIG處理條件為：激光掃描的波長為1-20微米，功率為2-20W，脈沖時間為5-30微秒。

9.根據權利要求8所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S3中，LIG處理條件為：激光掃描的波長為10.6微米，功率為4.8W，脈沖時間為20微秒。

10.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，保護膜層采用PI材料，最終產品的結構形成PI-銅電極-LIG層-PI的組合體，即石墨烯高溫電熱膜。

11.根據權利要求1所述的基于LIG法制備石墨烯高溫電熱膜的方法，其特征在于，所述S4的具體方法為：

S4-1、取PI膜作為封裝層；

S4-2、在PI封裝層表面涂布熱塑性PI預聚體聚酰胺酸，半干燥形成聚酰胺酸膜,且在局域進行開孔處理；

S4-3、隨后與S3形成的與PI-銅電極-石墨烯組合體進行壓合，并完成亞胺化處理,使PI封裝層表面的聚酰胺酸膜與PI封裝層形成一體的PI材料作為保護層，壓合前確保通過開孔暴露出局部銅電極端子，從而獲得PI-銅電極-LIG層-PI組合體，即石墨烯高溫電熱膜。