[發明專利]背板及光伏組件在審
| 申請號: | 202110451509.8 | 申請日: | 2021-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN113327995A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 李翔;袁紅霞;陳少煒 | 申請(專利權)人: | 江蘇微導納米科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;H01L31/048 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 張丹 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背板 組件 | ||
1.一種背板,其特征在于,包括:
基材層(11),包括第一基材層(111)和第二基材層(112);
膠粘層(12);及
阻隔層(13),所述阻隔層(13)設置于所述第一基材層(111),所述第二基材層(112)通過所述膠粘層(12)連接于所述阻隔層(13)的背離所述第一基材層(111)的一側。
2.根據權利要求1所述的背板,其特征在于,所述阻隔層(13)包括沿所述阻隔層(13)的厚度方向依次層疊設置的至少兩層阻隔子層,所有所述阻隔子層中至少有兩層所述阻隔子層的材料彼此不同。
3.根據權利要求2所述的背板,其特征在于,每一所述阻隔子層為有機鋁層、有機鈦層、有機鋅層、有機硅層、有機鉿層、有機鋯層、有機鉭層中的一種。
4.根據權利要求2所述的背板,其特征在于,每一所述阻隔子層為氧化鋁層、氧化鈦層、氧化鋅層、氧化硅層、氧化鉿層、氧化鋯層、氧化鉭層中的一種。
5.根據權利要求2所述的背板,其特征在于,所述至少兩層阻隔子層逐層沉積于所述第一基材層(111)上。
6.根據權利要求2所述的背板,其特征在于,所述阻隔層(13)由ALD技術、PEALD技術、CVD技術、PECVD技術或真空蒸發技術制備得到。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的背板,其特征在于,所述阻隔層(13)的厚度小于等于1000nm。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的背板,其特征在于,還包括耐候層(14),所述耐候層(14)設置于所述第一基材層(111)背離所述阻隔層(13)的一側和/或所述第二基材層(112)背離所述阻隔層(13)的一側。
9.根據權利要求8所述的背板,其特征在于,所述耐候層(14)涂覆于所述第一基材層(111)和/或所述第二基材層(112)。
10.一種光伏組件,其特征在于,包括如權利要求1至9中任一項所述的背板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





