[發明專利]集成式組合件和形成集成式組合件的方法

在審

• 申請號: 202110451402.3
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113594171A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: S·索爾斯;R·J·希爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

1.一種集成式組合件，其包括：

交替的絕緣層級與導電層級的豎直堆疊；所述導電層級包括導電結構；

溝道材料，其豎直地延伸通過所述堆疊；所述導電結構具有接近所述溝道材料的近側區，且具有相比于所述近側區更遠離所述溝道材料的遠側區；

所述絕緣層級在相鄰導電結構的所述近側區之間豎直地具有第一區，且在所述相鄰導電結構的所述遠側區之間豎直地具有第二區；

空隙，其是在所述絕緣層級內且橫跨所述第一區和所述第二區的部分延伸；

所述絕緣層級包含沿著所述導電結構的所述近側區且不沿著所述導電結構的所述遠側區的絕緣內襯；所述絕緣內襯在所述絕緣內襯的與所述導電結構相對的側上具有外表面；所述外表面面向所述空隙；及

絕緣材料，其延伸通過所述堆疊且直接沿著所述導電結構的所述遠側區；所述絕緣材料覆蓋所述空隙的端部且基本上不沿著所述絕緣內襯的所述外表面。

2.根據權利要求1所述的集成式組合件，其進一步包括：

隧穿材料，其鄰近所述溝道材料；

電荷存儲材料，其鄰近所述隧穿材料；及

高k介電材料，其處于所述電荷存儲材料與所述導電結構的所述近側區之間。

3.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述絕緣材料不直接抵靠所述絕緣內襯的所述外表面。

4.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述絕緣內襯包括SiO，其中化學式指示主要成分而非特定化學計量。

5.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述絕緣內襯包括運用以下各者中的一或多個中毒的二氧化硅：N,N二甲基氨基三甲基硅烷、雙(N,N-二甲氨基)二甲基硅烷、乙二胺、1-三甲基硅烷基吡咯烷、1-三甲基硅烷基吡咯、3,5-二甲基-1-三甲基硅烷基，及R1-(C-OH)-R2；其中R1及R2是有機部分。

6.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述絕緣內襯包括SiN，其中所述化學式指示主要成分而非特定化學計量。

7.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述絕緣內襯包括SiON，其中所述化學式指示主要成分而非特定化學計量。

8.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述絕緣材料包括SiO、SiN和SiON中的一或多個；其中所述化學式指示主要成分而非特定化學計量。

9.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述導電結構中的每一個包含含鎢芯和沿著所述含鎢芯的外圍的含金屬氮化物內襯。

10.根據權利要求9所述的集成式組合件，其中所述金屬氮化物內襯中的每一個圍繞所述含鎢芯中的相關聯含鎢芯的近端且使得暴露所述含鎢芯中的所述相關聯含鎢芯的遠端；其中所述金屬氮化物內襯中的每一個沿著橫截面包含直接抵靠所述含鎢芯中的所述相關聯含鎢芯的第一表面和與所述第一表面呈相對關系的第二表面；其中所述導電結構中的每一個的所述遠側區包含：

所述含金屬氮化物內襯中的一個的所述第二表面的一對經暴露區段，所述一對經暴露區段中的所述經暴露區段中的一個是在所述含鎢芯中的所述相關聯含鎢芯上方，且所述一對經暴露區段中的所述經暴露區段中的另一個是在所述含鎢芯中的所述相關聯含鎢芯下方；及

所述含鎢芯中的所述相關聯含鎢芯的經暴露遠端。

11.根據權利要求10所述的集成式組合件，其中所述絕緣材料直接抵靠所述含金屬氮化物內襯的所述第二表面的所述經暴露區段，且直接抵靠所述含鎢芯的所述經暴露遠端。

12.根據權利要求11所述的集成式組合件，其中所述絕緣內襯直接抵靠所述第二表面的區。