[發(fā)明專利]一種零等待周期SRAM的控制方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110450783.3 | 申請日： | 2021-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN113190174B | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王銳;陸思茗;李建軍;王亞波;莫軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣芯微電子（廣州）股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/06 | 分類號： | G06F3/06;G06F15/78 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩輝;顏希文 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市黃埔區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 等待 周期 sram 控制 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種零等待周期SRAM的控制方法及裝置，在基本的讀、寫、空閑狀態(tài)以外，增加了三個狀態(tài)，在保留與現(xiàn)有技術(shù)相同的指令執(zhí)行效果的前提下，通過對SRAM控制器進行先讀后寫和對寫操作進行鎖存的控制，避免了在寫后讀操作需多等待至少一個周期的問題。從而通過實施本發(fā)明能夠大大提高指令的執(zhí)行效率，有效提升SOC系統(tǒng)運行程序的能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種零等待周期SRAM的控制方法及裝置。
背景技術(shù)
靜態(tài)隨機存儲器(Static Random-Access Memory，SRAM)是SOC系統(tǒng)中常用的一種存儲器。SRAM里的靜態(tài)主要是指只要不掉電，存儲器里的數(shù)據(jù)就能一直保持，掉電以后，存儲器里的數(shù)據(jù)將會丟失。SRAM的存取速度快，一般多用于存儲CPU一些臨時的數(shù)據(jù)，使得CPU在執(zhí)行運算時速度更快捷方便；SRAM也可用于高速CPU與低速存儲之間的數(shù)據(jù)或指令緩存，可加快CPU讀取低速存儲器中數(shù)據(jù)的效率。所以SRAM的存取速度決定了SOC系統(tǒng)的性能，CPU的執(zhí)行效率，而SRAM控制器的功能便決定了SRAM內(nèi)存的存取速度。
在AHB協(xié)議中，數(shù)據(jù)總是比其對應(yīng)的地址和控制信號等延后一個時鐘。在主機對SRAM內(nèi)存進行寫后讀操作時，SRAM控制器需要先對寫操作的地址和一些控制信號進行鎖存，等待總線上寫入的數(shù)據(jù)準備好以后，才把數(shù)據(jù)真正寫入SRAM內(nèi)存。根據(jù)AHB總線上的流水線操作，跟在寫操作后面的讀操作需要多等待一個時鐘周期，等待SRAM控制器把寫入數(shù)據(jù)真正寫入到SRAM內(nèi)存中后才能執(zhí)行。所讀數(shù)據(jù)在下一個周期被總線讀取。
上述寫后讀操作將會多花至少一個周期在等待數(shù)據(jù)寫入過程中，從而影響了SRAM讀寫速率，也大大降低了CPU指令執(zhí)行效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種零等待周期SRAM的控制方法及裝置，以解決對SRAM存儲器進行寫后讀操作時需要等待至少一個時鐘周期的問題，從而能夠大大提高指令的執(zhí)行效率，提升了SOC系統(tǒng)運行程序的能力。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種零等待周期SRAM的控制方法，包括：
當SRAM控制器處于空閑狀態(tài)下，若滿足第一條件則控制所述SRAM控制器進入讀狀態(tài)；若滿足第二條件則控制所述SRAM控制器進入寫狀態(tài)；其中，所述第一條件為當AHB總線選中SRAM地址區(qū)，總線空閑并且AHB總線寫使能信號為無效；所述第二條件為當AHB總線選中SRAM地址區(qū)，總線空閑并且AHB總線寫使能信號為有效；
當所述SRAM控制器處于讀狀態(tài)下，若滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入寫狀態(tài)；若滿足所述第一條件則控制所述SRAM控制器維持在讀狀態(tài)；若不滿足所述第一條件且不滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入空閑狀態(tài)；
當所述SRAM控制器處于寫狀態(tài)下，若滿足所述第一條件則控制所述SRAM控制器進入寫后讀狀態(tài)；若滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器維持在寫狀態(tài)；若不滿足所述第一條件且不滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入空閑狀態(tài)；其中，在寫后讀狀態(tài)下，所述SRAM控制器優(yōu)先執(zhí)行當前讀操作并將之前寫操作的數(shù)據(jù)進行鎖存；
當所述SRAM控制器處于寫后讀狀態(tài)下，若滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入寫后寫狀態(tài)；若滿足所述第一條件則控制所述SRAM控制器維持在寫后讀狀態(tài)；若不滿足所述第一條件且不滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入寫后空閑狀態(tài)；其中，在寫后寫狀態(tài)下，所述SRAM控制器將之前鎖存的寫操作的數(shù)據(jù)寫入SRAM內(nèi)存；在寫后空閑狀態(tài)下，所述SRAM控制器將之前鎖存的寫操作的數(shù)據(jù)寫入SRAM內(nèi)存；
當所述SRAM控制器處于寫后寫狀態(tài)下，若滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入寫狀態(tài)；若滿足所述第一條件則控制所述SRAM控制器進入寫后讀狀態(tài)；若不滿足所述第一條件且不滿足所述第二條件則控制所述SRAM控制器進入空閑狀態(tài)；
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G06F 電數(shù)字數(shù)據(jù)處理
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G06F3-12 .到打印裝置上去的數(shù)字輸出
