[發(fā)明專(zhuān)利]高邊功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110449616.7
• 申請(qǐng)日: 2021-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112994669B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江地芯引力科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K17/08
• 分類(lèi)號(hào): H03K17/08
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 孔垂超

1.一種高邊功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，其特征在于，包括低壓輸入控制電路、第一電平轉(zhuǎn)換電路、第二電平轉(zhuǎn)換電路、第三電平轉(zhuǎn)換電路和驅(qū)動(dòng)電路；所述低壓輸入控制電路分別與所述第一電平轉(zhuǎn)換電路、所述第二電平轉(zhuǎn)換電路和所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接；所述驅(qū)動(dòng)電路分別與所述第一電平轉(zhuǎn)換電路和所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接；所述第二電平轉(zhuǎn)換電路與所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接；所述低壓輸入控制電路用于分別控制所述第一電平轉(zhuǎn)換電路、所述第二電平轉(zhuǎn)換電路和所述第三電平轉(zhuǎn)換電路的電壓轉(zhuǎn)換；所述第三電平轉(zhuǎn)換電路用于響應(yīng)于來(lái)自所述低壓輸入控制電路的輸入以及來(lái)自所述第二電平轉(zhuǎn)換電路的輸入進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換；所述驅(qū)動(dòng)電路用于響應(yīng)于來(lái)自所述第一電平轉(zhuǎn)換電路的輸入以及來(lái)自所述第三電平轉(zhuǎn)換電路的輸入調(diào)整輸出電壓以驅(qū)動(dòng)高邊功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET工作；所述驅(qū)動(dòng)電路包括PMOSFET、NMOSFET、第四二極管、第五二極管、第四電阻和第五電阻；所述第四二極管的正極端與所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接，所述第四二極管的負(fù)極端與所述NMOSFET的柵極相連接，所述NMOSFET的源極與所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接，所述NMOSFET的漏極與所述PMOSFET的漏極相連接，所述第四電阻的一端與所述PMOSFET的源極相連接，所述第四電阻的另一端與電荷泵相連接，所述第五二極管的正極端與所述NMOSFET的源極相連接，所述第五二極管的負(fù)極端與所述NMOSFET的漏極相連接，所述第五電阻與所述第五二極管并聯(lián)，所述PMOSFET的柵極與所述第一電平轉(zhuǎn)換電路相連接；所述第四二極管的正極端與所述NMOSFET的源極相連接；所述第三電平轉(zhuǎn)換電路的第一輸出端與所述NMOSFET的柵極相連接，所述第三電平轉(zhuǎn)換電路的第二輸出端與所述NMOSFET的源極相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，其特征在于，所述低壓輸入控制電路包括串聯(lián)的第一反相器和第二反相器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，其特征在于，所述第一反相器的輸出端與所述第二電平轉(zhuǎn)換電路相連接，所述第二反相器的輸出端分別與所述第一電平轉(zhuǎn)換電路和所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，其特征在于，所述第一電平轉(zhuǎn)換電路包括第九N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NMOSFET、第八NMOSFET、第三NMOSFET、第一電阻和第一二極管；所述第三NMOSFET的源極與所述第八NMOSFET的漏極相連接，所述第八NMOSFET的源極與所述第九N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NMOSFET的漏極相連接，所述第八NMOSFET的柵極與所述低壓輸入控制電路相連接，所述第一電阻的一端與所述第三NMOSFET的漏極相連接，所述第一電阻的另一端連接電荷泵，所述第一二極管與所述第一電阻并聯(lián)，所述第九N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NMOSFET的源極接地，所述第九N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NMOSFET的柵極連接第一電壓源，所述第三NMOSFET的柵極連接第二電壓源。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，其特征在于，所述第二電平轉(zhuǎn)換電路包括第十NMOSFET、第六NMOSFET、第四NMOSFET、第二電阻和第二二極管；所述第四NMOSFET的源極與所述第六NMOSFET的漏極相連接，所述第四NMOSFET的柵極連接第二電壓源，所述第六NMOSFET的源極與所述第十NMOSFET的漏極相連接，所述第十NMOSFET的源極接地，所述第十NMOSFET的柵極連接第一電壓源，所述第六NMOSFET的柵極與所述低壓輸入控制電路相連接，所述第二電阻的一端與所述第四NMOSFET的漏極相連接，所述第二電阻的另一端連接電荷泵，所述第二二極管與所述第二電阻并聯(lián)。