[發(fā)明專利]一種基于3T-3MTJ存儲單元的磁性隨機存儲器及其讀取方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110449356.3
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113113062B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設計）人: 王超;陸楠楠
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 無錫派爾特知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種基于3T-3MTJ存儲單元的磁性隨機存儲器，其特征在于，包括3T-3MTJ存儲單元、邏輯控制電路、多邊選擇電路MUX和靈敏放大器SA；

所述多邊選擇電路MUX選擇讀出所述3T-3MTJ存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)；

所述靈敏放大器SA連接所述多邊選擇電路MUX，用于數(shù)據(jù)信號的放大和讀出；

所述邏輯控制電路分別通過SAE線、SEL線和字線WL連接所述靈敏放大器SA、多邊選擇電路MUX和所述3T-3MTJ存儲單元；

所述3T-3MTJ存儲單元包括第一1T-1MTJ單元、第二1T-1MTJ單元、第三1T-1MTJ單元，以及NMOS管N3；所述第一1T-1MTJ單元包括NMOS管N0和磁性隧道結M01；所述第二1T-1MTJ單元包括NMOS管N1和磁性隧道結M02；所述第三1T-1MTJ單元包括NMOS管N2和磁性隧道結M03；所述磁性隧道結M01的一端連接NMOS管N0的漏端，另一端接多邊選擇電路MUX的S0端；所述磁性隧道結M02的一端連接NMOS管N1的漏端，另一端接多邊選擇電路MUX的S1端；所述磁性隧道結M03的一端連接NMOS管N2的漏端，另一端接多邊選擇電路MUX的S2端；

NMOS管N3的源極接多邊選擇電路MUX的S0端，漏極接多邊選擇電路MUX的S1端，柵極連接至所述邏輯控制電路的SE開關信號端。

2.如權利要求1所述的基于3T-3MTJ存儲單元的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述磁性隧道結M01和M02為參考單元，存儲1 Bit的信息；所述磁性隧道結M03為數(shù)據(jù)單元，存儲1Bit的信息。

3.如權利要求2所述的基于3T-3MTJ存儲單元的磁性隨機存儲器，其特征在于，所述NMOS管N0、NMOS管N1和NMOS管N2的柵極均連接字線WL，源極均連接到源線SL，進行讀取的時候源線SL連接到地GND。

4.一種基于權利要求1-3任一項所述基于3T-3MTJ存儲單元的磁性隨機存儲器的讀取方法，其特征在于，所述讀取方法包括：

當多邊選擇電路MUX選通S0端和S1端時，NMOS管N3關斷，靈敏放大器SA讀出所述磁性隧道結M01的存儲信息；

當多邊選擇電路MUX選通S0端和S2端時，NMOS管N3導通，靈敏放大器SA比較兩邊電流的大小讀出所述磁性隧道結M03的存儲信息。