[發明專利]一種適用于納米級CMOS工藝的低功耗基準電壓源有效
| 申請號： | 202110449316.9 | 申請日： | 2021-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN113110679B | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發明（設計）人： | 代晶 | 申請（專利權）人： | 廣東寶元通檢測股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 安徽盟友知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 34213 | 代理人： | 周榮 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 納米 cmos 工藝 功耗 基準 電壓 | ||
1.一種適用于納米級CMOS工藝的低功耗基準電壓源，其特征在于，其包括補償電流產生電路和基準電壓產生電路；
補償電流產生電路包括MOS管M1至M13，電阻R1，電阻R2，電容C1，電容C2；
基準電壓產生電路包括MOS管M14至M29，電阻R3至R7，基準電壓輸出端口Vref；
MOS管M1的源極連接電源VDD，MOS管M1的柵極連接MOS管M2的柵極，MOS管M1的漏極連接MOS管M3的漏極；MOS管M2的源極連接電源VDD，MOS管M2的柵極連接MOS管M10的柵極，MOS管M2的漏極連接電阻R1的上端；MOS管M3的漏極連接MOS管M3的柵極，MOS管M3的柵極連接MOS管M4的柵極，MOS管M3的源極連接MOS管M5的漏極；MOS管M4的漏極連接電阻R1的下端，MOS管M4的柵極連接MOS管M3的漏極，MOS管M4的源極連接MOS管M7的漏極；MOS管M5的漏極連接MOS管M5的柵極，MOS管M5的柵極連接MOS管M3的源極，MOS管M5的源極連接MOS管M6的漏極；MOS管M6的漏極連接MOS管M6的柵極，MOS管M6的柵極連接MOS管M7的柵極，MOS管M6源極接地；MOS管M7的漏極連接MOS管M9的柵極，MOS管M7的柵極連接MOS管M5的源極，MOS管M7的源極連接電阻R2的上端，電阻R2的下端接地；MOS管M8的漏極連接電源VDD，MOS管M8的柵極連接MOS管M8的的漏極，MOS管M8的源極連接電容C1的上端；MOS管M9的漏極連接電容C1的下端，MOS管M9的柵極連接MOS管M12的源極，MOS管M9的源極接地；MOS管M10的源極連接電源VDD，MOS管M10的柵極連接MOS管M2的柵極，MOS管M10的漏極連接MOS管M11的源極；MOS管M11的源極連接MOS管M10的漏極，MOS管M11的柵極連接電阻R1的下端，MOS管M11的漏極連接MOS管M13的源極；MOS管M12的漏極連接MOS管M10的柵極，MOS管M12的柵極連接MOS管M9的漏極，MOS管M12的源極接地；電容C2的上端連接MOS管M9的柵極，電容C2的下端接地；MOS管M13的源極連接MOS管M13的柵極，MOS管M13的柵極連接MOS管M11的漏極，MOS管M13的漏極連接MOS管M27的源極；
MOS管M14的源極連接電源VDD，MOS管M14的柵極連接MOS管M15的柵極，MOS管M14的漏極連接MOS管M18的漏極；MOS管M15的源極連接電源VDD，MOS管M15的柵極連接MOS管M16的柵極，MOS管M15的漏極連接MOS管M16的源極；MOS管M16的源極連接MOS管M16的柵極，MOS管M16的柵極連接MOS管M14 的柵極，MOS管M16的漏極連接MOS管M17的源極；MOS管M17的源極連接MOS管M16的漏極，MOS管M17的柵極連接電阻R4的下端，MOS管M17的漏極連接MOS管M23的漏極；MOS管M18的漏極連接MOS管M18的柵極，MOS管M18的柵極連接MOS管M24的柵極，MOS管M18的源極接地；MOS管M19的源極連接電源VDD，MOS管M19的柵極連接MOS管M20的柵極，MOS管M19的漏極連接MOS管M21的源極；MOS管M20的源極連接電源VDD，MOS管M20的柵極連接MOS管M19的漏極，MOS管M20的漏極連接MOS管M24的漏極；MOS管M21的源極連接MOS管M19的柵極，MOS管M21的柵極連接MOS管M20的柵極，MOS管M21的漏極連接MOS管M22的源極；MOS管M22的源極連接MOS管M21的漏極，MOS管M22的柵極連接電阻R5的下端，MOS管M22的漏極連接MOS管M17的漏極；MOS管M23的漏極連接MOS管M22的漏極，MOS管M23的柵極連接MOS管M22的柵極，MOS管M23的源極連接電阻R3的上端，電阻R3的下端接地；MOS管M24的漏極連接MOS管M27的柵極，MOS管M24的柵極連接MOS管M18的漏極，MOS管M24的源極接地；電阻R4的上端連接電源VDD，電阻R4的下端連接MOS管M25的漏極；電阻R5的上端連接電源VDD，電阻R5的下端連接MOS管M26的漏極；MOS管M25的漏極連接MOS管M17的柵極，MOS管M25的柵極連接MOS管M26的柵極，MOS管M25的源極連接MOS管M27的漏極；MOS管M26的漏極連接MOS管M22的柵極，MOS管M26的柵極連接MOS管M25的漏極，MOS管M26的源極連接MOS管M28的漏極；MOS管M27的漏極連接MOS管M25的源極，MOS管M27的柵極連接MOS管M28的柵極，MOS管M27的源極連接電阻R7的上端；MOS管M28的漏極連接MOS管M26的源極，MOS管M28的柵極連接基準電壓輸出端口Vref，MOS管M28的源極連接電阻R6的上端；MOS管M29的漏極連接MOS管M24的漏極，MOS管M29的柵極連接電阻R6的下端，MOS管M29的源極接地；電阻R7的上端連接電阻R6的下端，電阻R7的下端接地；
補償電流產生電路主要用于產生二階補償電流并輸出到基準電壓產生電路中；
基準電壓產生電路在一階補償電流及二階補償電流的作用下，使工作于弱反型區的MOS管的柵源極電壓基本不受溫度變化及工藝偏差的影響，并將此電壓作為基準電壓輸出。
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