[發(fā)明專利]一種改善CIS產(chǎn)品負信號的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110449080.9
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113224097B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設計）人: 袁明;王柯;程劉鎖;錢江勇;張繼亮
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種改善CIS產(chǎn)品負信號的方法，其特征在于，至少包括：

步驟一、提供硅基底；

步驟二、在所述硅基底上形成厚柵氧區(qū)域、P型阱以及N型阱；

步驟三、在所述厚柵氧區(qū)域、P型阱以及N型阱上形成柵氧層；

步驟四、在所述柵氧層上形成多晶硅層；

步驟五、對所述多晶硅層進行F離子注入；注入的F離子穿過所述多晶硅層進入所述柵氧層，所述F離子取代所述柵氧層中的氧離子，形成硅-氟鍵，游離的氧離子進入所述硅基底，與硅結(jié)合形成二氧化硅步驟五中進入硅基底中的氧離子與硅集合形成的二氧化硅增大柵氧層的有效電性厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CIS產(chǎn)品負信號的方法，其特征在于：步驟二中的所述P型阱位于所述厚柵氧區(qū)域和所述N型阱之間，并且所述厚柵氧區(qū)域、P型阱以及所述N型阱之間由STI區(qū)相互隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CIS產(chǎn)品負信號的方法，其特征在于：步驟三中的所述柵氧層為二氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善CIS產(chǎn)品負信號的方法，其特征在于：步驟五中對所述多晶硅層進行F離子注入的方法為：在所述多晶硅層上方注入F離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善CIS產(chǎn)品負信號的方法，其特征在于：步驟五中進行F離子的注入釋放了所述硅基底和所述柵氧層界面處畸變硅-氧應力。