[發(fā)明專利]一種改善Eflash Cell區(qū)字線頂部氧化層被損壞的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110449078.1
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113224072B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設計）人: 向磊;江晨
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明提供一種改善Eflash Cell區(qū)字線頂部氧化層被損壞的方法，硅基底上cell區(qū)的一側設有外圍區(qū)；cell區(qū)設有多個相互間隔的浮柵多晶硅結構，浮柵多晶硅結構被PEOX層覆蓋；PEOX層被TEOS層覆蓋；覆蓋在每個浮柵多晶硅結構上的TEOS層彼此之間的空隙形成溝槽；外圍區(qū)設有多晶硅層、位于多晶硅層上的PEOX層以及位于PEOX層上的TEOS層；在cell區(qū)和外圍區(qū)形成覆蓋TEOS層的第一BARC層；第一BARC層填充于cell區(qū)之間的溝槽；刻蝕第一BARC層，直至cell區(qū)之間的溝槽中的第一BARC層的厚度為為止；在cell區(qū)和外圍區(qū)先后形成第二BARC層和光刻膠；對外圍區(qū)進行光刻形成柵極。本發(fā)明可改善字線頂部被損壞的風險，使得多晶硅刻蝕后字線上氧化層作為保護層，其厚度對于刻蝕外圍區(qū)更安全。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種改善Eflash Cell區(qū)字線頂部氧化層被損壞的方法。

背景技術

在55Eflash柵極多晶硅刻蝕(Gate Poly Etch)前旋涂Barc和光阻PR時，由于CELL區(qū)高度高于外圍區(qū)域，且CELL區(qū)邊緣旁邊沒有dummy line，導致旋涂的BARC和光阻PR在CELL區(qū)薄于外圍區(qū)，cell陣列(CELL ARRAY)最邊緣5根字線(word line)上會更差，最壞的情況上面基本沒有BARC，光阻PR與BARC厚度較外圍區(qū)相差1400A。

刻蝕時必須以光阻PR最厚的外圍區(qū)為刻蝕基準，但是結構帶來的光阻PR厚度差異，導致硬掩膜HM打開過程中，光阻保留不足導致字線Word line上的氧化層會損失，對于后續(xù)的層有較大的影響，使得字線多晶硅保護不足，容易被刻穿。

發(fā)明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種改善Eflash Cell區(qū)字線頂部氧化層被損壞的方法，用于解決現有技術中Eflash柵極多晶硅刻蝕過程中由于光阻保留不足導致字線上的氧化層損失的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種改善Eflash Cell區(qū)字線頂部氧化層被損壞的方法，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供硅基底，所述硅基底上設有cell區(qū)；所述cell區(qū)的一側設有與其相鄰的外圍區(qū)；所述cell區(qū)設有多個相互間隔的浮柵多晶硅結構，所述浮柵多晶硅結構被PEOX層覆蓋；所述PEOX層被TEOS層覆蓋；覆蓋在每個所述浮柵多晶硅結構上的所述TEOS層與其相鄰的所述浮柵多晶硅結構上的所述TEOS層彼此之間的空隙形成溝槽；所述外圍區(qū)設有多晶硅層、位于所述多晶硅層上的PEOX層以及位于所述PEOX層上的TEOS層；

步驟二、在所述cell區(qū)和所述外圍區(qū)形成覆蓋所述TEOS層的第一BARC層；所述第一BARC層填充于所述cell區(qū)之間的溝槽；

步驟三、刻蝕所述第一BARC層，直至所述cell區(qū)之間的溝槽中的所述第一BARC層的厚度為為止；

步驟四、在所述cell區(qū)和所述外圍區(qū)形成第二BARC層；

步驟五、在所述第二BARC層上覆蓋光刻膠；

步驟六、對所述外圍區(qū)進行光刻形成柵極。

優(yōu)選地，步驟一中的所述浮柵多晶硅結構頂部與所述PEOX層之間設有氧化層。

優(yōu)選地，步驟一中的所述PEOX層的厚度為

優(yōu)選地，步驟一中的所述TEOS層的厚度為

優(yōu)選地，步驟一中cell區(qū)的所述PEOX層與所述外圍區(qū)的所述PEOX層由同一道工藝形成。

優(yōu)選地，步驟一中的所述TEOS層與所述外圍區(qū)的所述TEOS層由同一道工藝形成。

優(yōu)選地，步驟一中所述cell區(qū)的所述TEOS層的上表面高于所述外圍區(qū)的所述TEOS層的上表面。