[發明專利]薄膜晶體管、制備方法以及顯示面板

在審

• 申請號: 202110448608.0
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113178493A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 孫夢翔;戴偉;李月婷;劉建輝;孔令辰;王笙灝;徐金華;馮輝;張昊;王震宇;張福剛;文鑫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;武漢京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 肖陽

1.一種制備薄膜晶體管的方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括像素區和控制區，

在所述基板的一側形成有源層材料，所述有源層材料覆蓋所述像素區和所述控制區，

在所述有源層材料遠離所述基板的一側形成第一金屬層，所述第一金屬層在所述基板上的正投影位于所述像素區和所述控制區內，

在所述第一金屬層遠離所述有源層材料的一側形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層位于所述控制區內，

對在所述基板上的正投影位于所述像素區內的所述第一金屬層進行刻蝕以在所述控制區內形成源漏極層，所述源漏極層在所述基板上的正投影位于所述第一光刻膠層在所述基板上的正投影內，

對所述第一光刻膠層進行預灰化以形成第二光刻膠層，所述第二光刻膠層在所述基板上的正投影位于所述源漏極層在所述基板上的正投影內，

對在所述基板上的正投影位于所述像素區內的所述有源層材料進行刻蝕以去除所述像素區內的所述有源層材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對在所述基板上的正投影位于所述像素區內的所述第一金屬層進行刻蝕的方法為濕法刻蝕；對在所述基板上的正投影位于所述像素區內的所述有源層材料進行刻蝕的方法為干法刻蝕。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述有源層材料包括低溫多晶硅，所述有源層材料的厚度為1150-1400埃米。

4.根據權利權利要求3所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的所述刻蝕氣體包括NF₃和He。

5.根據權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，進一步包括：

對所述源漏極層進行刻蝕，以形成源極和漏極；

對所述控制區內的所述有源層材料進行刻蝕，以形成所述薄膜晶體管的有源層。

6.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為通過權利要求1-5任一項所述的方法制備的。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，有源層的厚度為1300埃米，所述有源層包括第一亞層，第二亞層以及摻雜亞層。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二亞層位于所述的第一亞層的一側，所述摻雜亞層位于所述第二亞層遠離所述第一亞層的一側，

所述第一亞層的厚度為300埃米，所述第二亞層的厚度為850埃米，所述摻雜亞層的厚度為150埃米。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管位于基板上，所述基板包括像素區和控制區，所述薄膜晶體管位于控制區內，所述薄膜晶體管包括：

低溫多晶硅形成的有源層；以及

源漏極，所述源漏極在所述基板上的正投影位于所述有源層在所述基板上的正投影范圍內，

并且所述源漏極在所述基板上的正投影的邊緣，和所述有源層在所述基板上的正投影的邊緣之間的距離不大于1.2微米。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為通過權利要求1-5任一項所述的方法制備的，或為權利要求6-9任一項所述的薄膜晶體管。