[發明專利]一種改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法有效
| 申請號： | 202110447796.5 | 申請日： | 2021-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN113223958B | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發明（設計）人： | 李勇;吳長明;馮大貴;祝建;盧成博 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3213 | 分類號： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 刻蝕 工藝 聚合物 方法 | ||
1.一種改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供硅基底，在所述硅基底上形成氧化層；
步驟二、在所述氧化層上形成氮化鈦和鈦的復合層；
步驟三、在所述復合層上形成鋁層；在所述鋁層上形成一層光刻膠層；
步驟四、對所述光刻膠進行曝光和顯影形成光刻膠圖形；
步驟五、按照所述光刻膠圖形刻蝕所述鋁層，形成凹槽；刻蝕所述鋁層采用等離子體刻蝕，并在刻蝕腔中引入氦氣作為刻蝕氣體；所述刻蝕腔的壓力為18mT；刻蝕腔中的靜電吸盤表面的等效電壓為389V。
2.根據權利要求1所述的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于：步驟三中的所述鋁層和所述光刻膠層的厚度為4微米。
3.根據權利要求1所述的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于：步驟五中刻蝕所述鋁層的過程中在所述凹槽的側壁形成聚合物。
4.根據權利要求3所述的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于：步驟五中形成的所述聚合物的成分包括碳、氧和鋁。
5.根據權利要求4所述的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于：步驟五中的所述聚合物的成分中包含AlC。
6.根據權利要求5所述的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于：步驟五中的所述AlC的含量為0.602％。
7.根據權利要求1所述的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，其特征在于：該方法還包括步驟六、去除所述凹槽上的剩余光刻膠。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
