[發明專利]封裝結構和封裝方法在審
| 申請號: | 202110447773.4 | 申請日: | 2021-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN113053938A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 王鑫琴;李俊杰 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 方法 | ||
1.一種封裝結構,其特征在于,包括:
芯片單元,所述芯片單元的第一表面包括感應區域;
上蓋板,所述上蓋板覆蓋所述芯片單元的第一表面;
支撐結構,位于所述上蓋板和芯片單元之間,且所述感應區域位于所述支撐結構和所述芯片單元的第一表面圍成的空腔之內,其中,
所述空腔的內壁表面覆蓋有吸光層。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述吸光層延伸至所述支撐結構和芯片單元之間。
3.根據權利要求2所述的封裝結構,其特征在于,所述吸光層與芯片單元的第一表面之間膠合。
4.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述吸光層為黑色的鍵合膠。
5.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述芯片單元還包括:
位于所述感應區域外的焊墊;
從所述芯片單元的與第一表面相對的第二表面貫穿所述芯片單元的通孔,所述通孔暴露出所述焊墊;
覆蓋所述芯片單元第二表面和所述通孔側壁表面的絕緣層;
位于所述絕緣層表面且與所述焊墊電連接的金屬層;
位于所述金屬層和所述絕緣層表面的阻焊層,所述阻焊層具有暴露出部分所述金屬層的開孔;
填充所述開孔,并暴露在所述阻焊層表面之外的外接凸起。
6.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述上蓋板被設置成預設的厚度、和/或形狀、和/或其表面覆蓋有遮光層,以使得從所述上蓋板的側壁反射的光線不能直接照射或減少照射至所述感應區域。
7.一種權利要求1至6任一所述的封裝結構的封裝方法,其特征在于,包括:
提供一晶圓,所述晶圓包括多個陣列排布的芯片單元;
提供一上蓋板,在上蓋板表面制作具有空腔的支撐結構;
將支撐結構結合于芯片單元的第一表面上;
通過切割工藝分割所述晶圓、上蓋板和支撐結構,形成多個芯片單元的封裝結構。
8.根據權利要求7所述的封裝結構的封裝方法,其特征在于,還包括:
在支撐結構與所述第一表面相對的表面上形成一層黑色鍵合膠;
將支撐結構結合于芯片單元的第一表面上,并在控制壓力和溫度,使得黑色鍵合膠流動至空腔側壁上。
9.根據權利要求7所述的封裝結構的封裝方法,其特征在于,在完成支撐結構的制作后,還包括:
在上蓋板面向晶圓的一側沉積一層吸光層;
對位于空腔內,且與感應區域相對的吸光層進行刻蝕;
將吸光層結合于芯片單元的第一表面上。
10.根據權利要求7所述的封裝結構的封裝方法,其特征在于,采用圖形網板印刷,直接在空腔的內壁形成吸光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





