[發明專利]基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法有效
| 申請號: | 202110447448.8 | 申請日: | 2021-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN113325462B | 公開(公告)日: | 2023-01-10 |
| 發明(設計)人: | 張志軍;楊珩;李乾利;李慧慧 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | G01T1/202 | 分類號: | G01T1/202;C01G21/00;C30B7/14;C30B28/04;C30B29/12;G21K4/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B05D7/24;B05D1/00 |
| 代理公司: | 重慶市信立達專利代理事務所(普通合伙) 50230 | 代理人: | 任葦 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 鈣鈦礦 納米 射線 閃爍 轉換 制備 方法 | ||
1.基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:用可探測γ射線、輻射發光為紫外光的單晶閃爍體作為基底,然后將CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶旋涂在單晶閃爍體表面,形成γ射線閃爍轉換屏;
CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶制備γ射線閃爍轉換屏的具體方法包括以下步驟:
S1:將CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶濃度調整到50~120mg/mL;
S2:將S1濃度的CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶以800~2000rpm的轉速旋涂在拋光過的單晶閃爍體表面,得到γ射線閃爍轉換屏;
所述CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶的制備方法包括一下步驟:
K1:將一定比例的氯化鉛、十八烯、油酸和油胺加入到燒瓶中,升溫至100~160℃使溶液呈透明,保溫2~10min,然后冷卻至室溫,得到氯化鉛前驅體;
K2:將一定比例的碘化鉛、十八烯、油酸和油胺加入到燒瓶中,按照K1步驟得到碘化鉛前驅體;
K3:將氯化鉛前驅體或碘化鉛前驅體加入至提純過的CsPbBr3納米晶溶液中,充分攪拌反應,得到全光譜的CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶溶液;
所述CsPbBr3納米晶溶液的制備方法包括以下步驟:
T1:將溴化鉛、油胺溴、十二烷溶液加入到燒瓶中,升溫至70~100℃反應5~30分鐘形成前驅體溶液;
T2:向T1得到前驅體溶液中通入惰性氣體,排出燒瓶中的氧氣和溶劑中的低沸點的有機物;
T3:向T2處理后的前驅溶液中加入比例為1:1~1.5:1的油酸和油胺,同時升溫至160~190℃;
T4:在溫度為160~190℃時,向反應溶液中加入硬脂酸銫和十二烷的懸濁液,反應0~10秒后用冰水浴冷卻,得到CsPbBr3納米晶粗溶液;
T5:將CsPbBr3納米晶粗溶液提純得到CsPbBr3納米晶溶液。
2.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法,其特征在于,所述作為基底的單晶閃爍體閃爍衰減時間不超過100ns。
3.根據權利要求2所述的基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法,其特征在于,所述基底材料包括BaF2、CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga中的任意一種或多種。
4.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法,其特征在于,氯化鉛、十八烯、油酸和油胺的比例為1mmol:15mL:1mL:1mL~1mmol:20mL:3mL:3mL;碘化鉛、十八烯、油酸和油胺的比例為1mmol:15mL:1mL:1mL~1mmol:20mL:3mL:3mL。
5.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法,其特征在于,所述T1中溴化鉛和油胺溴的比例為1:1~1:3。
6.根據權利要求5所述的基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法,其特征在于,所述T3中硬脂酸銫的物質的量為T1中溴化鉛的1~1.5倍。
7.一種全可見光譜、快速γ射線閃爍轉換屏,其特征在于,通過權利要求1至6任一所述的基于鈣鈦礦納米晶的γ射線閃爍轉換屏的制備方法所制備的閃爍轉換屏。
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