[發(fā)明專利]LDMOS器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110447400.7
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113224165B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L23/48;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)中摻雜的離子類型不同；

柵氧，所述柵氧形成于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)上，所述柵氧的底部與所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有交疊區(qū)域且所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成接觸面；

柵極，所述柵極形成于所述柵氧上；

第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層形成于所述襯底、所述柵氧和所述柵極表面，所述第一介質(zhì)層中形成有金屬場板、第一接觸通孔和第二接觸通孔，所述金屬場板與所述柵極不相連，所述金屬場板形成于所述柵極的一側(cè)且位于所述第二摻雜區(qū)上方，所述第一接觸通孔的底端與所述第一摻雜區(qū)連接，所述第二接觸通孔的底端與所述第二摻雜區(qū)連接；

第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層形成于所述第一介質(zhì)層上方，所述第二介質(zhì)層中形成有第一金屬連線、第二金屬連線和金屬阻擋層，所述第一金屬連線的底部與所述第一接觸通孔的頂端和所述金屬場板的頂端連接，所述第二金屬連線的底部與所述第二接觸通孔的頂端連接，所述第一金屬連線和所述第二金屬連線之間通過所述金屬阻擋層電性連接；

其中，所述第一摻雜區(qū)為所述器件的體區(qū)，所述第二摻雜區(qū)為所述器件的漂移區(qū)，所述柵氧為所述器件的溝道柵氧；當(dāng)所述第一摻雜區(qū)摻雜的離子包括P型離子時，所述第二摻雜區(qū)摻雜的離子包括N型離子；當(dāng)所述第二摻雜區(qū)摻雜的離子包括P型離子時，所述第一摻雜區(qū)摻雜的離子包括N型離子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述金屬場板的構(gòu)成材料包括銅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一金屬連線和所述第二金屬連線的構(gòu)成材料包括銅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述金屬阻擋層的構(gòu)成材料包括銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的構(gòu)成材料包括二氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其特征在于，所述第一接觸通孔和所述第二接觸通孔的構(gòu)成材料包括銅。

7.一種LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底中依次進(jìn)行第一次離子注入和第二次離子注入，形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一次離子注入和第二次離子注入中注入的離子類型不同；

在所述襯底上形成氧化層；

在所述氧化層上形成多晶硅層；

對氧化層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕，剩余的氧化層形成柵氧，剩余的多晶硅層形成柵極，所述柵氧的底部與所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有交疊區(qū)域且所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)形成接觸面；

在所述襯底、所述柵氧和所述柵極表面形成第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層中形成金屬場板，所述金屬場板與所述柵極不相連，所述金屬場板形成于所述柵極的一側(cè)且位于所述第二摻雜區(qū)上方；

在所述第一介質(zhì)層形成第一接觸通孔和第二接觸通孔，所述第一接觸通孔的底端與所述第一摻雜區(qū)連接，所述第二接觸通孔的底端與所述第二摻雜區(qū)連接；

在所述第一介質(zhì)層上依次形成金屬阻擋層和第二介質(zhì)層；

在所述第二介質(zhì)層中形成第一金屬連線和第二金屬連線，所述第一金屬連線的底部與所述第一接觸通孔的頂端和所述金屬場板的頂端連接，所述第二金屬連線的底部與所述第二接觸通孔的頂端連接，所述第一金屬連線和所述第二金屬連線之間通過所述金屬阻擋層電性連接；

其中，所述第一摻雜區(qū)為所述器件的體區(qū)，所述第二摻雜區(qū)為所述器件的漂移區(qū)，所述柵氧為所述器件的溝道柵氧；當(dāng)所述第一摻雜區(qū)摻雜的離子包括P型離子時，所述第二摻雜區(qū)摻雜的離子包括N型離子；當(dāng)所述第二摻雜區(qū)摻雜的離子包括P型離子時，所述第一摻雜區(qū)摻雜的離子包括N型離子。