[發明專利]一種基于SISL結構的高增益5G縫隙耦合太陽能天線

有效

• 申請號: 202110446936.7
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113346218B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 閆寧寧;季傳勝;羅宇;馬凱學
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/44;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q19/10;H01L31/0392;H01L31/02
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 韓新城

1.基于SISL結構的高增益5G縫隙耦合太陽能天線，其特征在于，包括自上而下的第一層至第五層雙面印刷的覆銅介質板；每層覆銅介質板由上下兩面金屬層及上下兩面金屬層之間填充介質組成；第二層和第四層覆銅介質板以及第一層覆銅介質板的下金屬層鏤空切除處理形成鏤空腔，第三層的覆銅介質板的上層金屬層切割形成耦合縫隙，第三層覆銅介質板的下表面設置有與所述耦合縫隙配合的饋線以使得太陽能天線的直流電與交流電信號進行隔離，第一層覆銅介質板的上層金屬層局部切除金屬層露出由外圍的上層金屬層包圍形成的介質基板區，該介質基板區上設置輻射貼片，所述輻射貼片上表面設置非晶硅太陽能電池，作為所述非晶硅太陽能電池的金屬襯底的所述輻射貼片兩側連接金屬條與上層金屬層的四周的金屬地連接以接地，成為非晶硅太陽能電池的負極；所述耦合縫隙為H形狀的耦合縫隙，所述饋線直線狀布置在H形狀的耦合縫隙兩個相互平行的縫隙之間，并與垂直連接兩個相互平行的縫隙的直線縫隙相互垂直。

2.根據權利要求1所述基于SISL結構的高增益5G縫隙耦合太陽能天線，其特征在于，第五層覆銅介質板上金屬層作為反射板。

3.根據權利要求1所述基于SISL結構的高增益5G縫隙耦合太陽能天線，其特征在于，每層覆銅介質板上形成連接用的鉚釘孔。

4.根據權利要求1所述基于SISL結構的高增益5G縫隙耦合太陽能天線，其特征在于，每層覆銅介質板上近四周對應的位置均設置有金屬通孔以接地。