[發明專利]一種耐腐蝕鍍膜工藝及其制得的耐腐蝕鍍膜涂層

有效

• 申請號: 202110445447.X
• 申請日: 2021-04-23
• 公開（公告）號: CN113151826B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 毛昌海;祖全先
• 申請（專利權）人: 艾瑞森表面技術（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C14/16;C23C14/06;C23C16/26;C23C14/35;C23C16/50;C23C16/56
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 翟超

1.一種耐腐蝕鍍膜工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、對金屬基體表面進行預處理，以使得所述金屬基體表面粗糙度Ra≤0.5μm；所述預處理工藝包括用氣體輝光放電工藝蝕刻表面；

S2、在金屬基體表面依次沉積第一Cr結合層、第一Cr/WC過渡層、第一WC-C:H過渡層，再采用PECVD技術在所述第一WC-C:H過渡層表面沉積含氫DLC層；

S3、再用輝光蝕刻工藝蝕刻所述含氫DLC層背離所述第一WC-C:H過渡層的表面；

S4、再在所述含氫DLC層背離所述第一WC-C:H過渡層的表面依次沉積第二WC-C:H過渡層、第二Cr/WC過渡層、表層，形成耐腐蝕鍍膜；

所述含氫DLC層的厚度大于等于所述金屬基體表面粗糙度的5倍；

沉積于所述含氫DLC層的第二WC-C:H過渡層的厚度為0.2-1.0μm；

所述采用PECVD技術沉積含氫DLC層時使用的工藝氣體為低分子碳氫化合物；所述低分子碳氫化合物為乙炔；在金屬基體表面依次沉積第一Cr/WC過渡層、第一WC-C:H過渡層時乙炔流量由10sccm逐步增至300sccm；第一Cr/WC過渡層、第一WC-C:H過渡層沉積結束后，將電磁線圈設置1A，通入700sccm乙炔，基片偏壓設置為600V進行含氫DLC層的沉積，含氫DLC層沉積和蝕刻結束后調節乙炔流量為300sccm。

2.根據權利要求1所述的耐腐蝕鍍膜工藝，其特征在于，所述步驟S2中在金屬基體表面依次沉積第一Cr結合層、第一Cr/WC過渡層、第一WC-C:H過渡層和在所述步驟S4中再在所述含氫DLC層背離所述第一WC-C:H過渡層的表面依次沉積第二WC-C:H過渡層、第二Cr/WC過渡層、表層均采用磁控濺射工藝；所述第一Cr結合層、第一Cr/WC過渡層、第一WC-C:H過渡層、第二Cr/WC過渡層的厚度在0.1-2μm。

3.根據權利要求1所述的耐腐蝕鍍膜工藝，其特征在于，所述表層選自TiSiN、TiN、金屬Cr、彩色ta-C中的一種。

4.根據權利要求1所述的耐腐蝕鍍膜工藝，其特征在于，所述輝光蝕刻工藝中采用惰性工作氣體，所述惰性工作氣體選自He、Ne、Ar、Kr、Xe中的任意一種。

5.根據權利要求1所述的耐腐蝕鍍膜工藝，其特征在于，所述耐腐蝕鍍膜工藝的工藝溫度區間為100-220℃。

6.一種耐腐蝕鍍膜涂層，其特征在于，由根據權利要求1-5任意一項所述的耐腐蝕鍍膜工藝制備得到。