[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110444198.2
• 申請日: 2021-04-23
• 公開（公告）號: CN113161323B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張麗霞;劉杰;應(yīng)戰(zhàn)
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底以及位于所述基底上的接合墊；

接合柱，位于所述接合墊遠(yuǎn)離所述基底的表面且與所述接合墊接觸；

第一器件，位于所述基底上，且與所述接合柱相互間隔；

焊墊，位于所述第一器件遠(yuǎn)離所述基底的表面；

介質(zhì)層，環(huán)繞所述接合柱的側(cè)壁；

電磁屏蔽層，至少位于所述接合柱頂面、所述介質(zhì)層頂面和所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述接合柱的側(cè)壁，且在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述電磁屏蔽層頂面與所述焊墊頂面之間的高度差不大于所述焊墊的厚度；

引線，所述引線的一端與所述焊墊電連接，所述引線的另一端與所述電磁屏蔽層電連接；

第二器件，位于所述第一器件遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)；

導(dǎo)電墊，位于所述基底上，所述導(dǎo)電墊與所述接合墊之間相互間隔；

焊盤，位于所述第二器件遠(yuǎn)離所述基底的表面；

導(dǎo)電柱，位于所述導(dǎo)電墊遠(yuǎn)離所述基底的表面且與所述導(dǎo)電墊接觸，且在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述導(dǎo)電柱頂面不低于所述接合柱頂面；

保護(hù)層，環(huán)繞所述導(dǎo)電柱的側(cè)壁；

電磁阻擋層，至少位于所述導(dǎo)電柱頂面、所述保護(hù)層頂面和所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電柱的側(cè)壁，且所述電磁阻擋層和所述電磁屏蔽層之間相互間隔；

導(dǎo)電線，所述導(dǎo)電線的一端與所述焊盤接觸電連接，所述導(dǎo)電線的另一端與所述電磁阻擋層接觸電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線的一端與所述焊墊鍵合形成第一鍵合點(diǎn)，所述引線的另一端與所述電磁屏蔽層鍵合形成第二鍵合點(diǎn)，所述第一鍵合點(diǎn)不低于所述第二鍵合點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線包括引線頸部，所述引線頸部位于所述引線沿所述第一鍵合點(diǎn)向上延伸的折彎處，所述電磁屏蔽層和所述第一器件之間具有間隔，所述引線頸部位于所述間隔中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：塑封層，所述塑封層填充所述間隔，且覆蓋所述引線頸部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述介質(zhì)層還環(huán)繞所述接合墊的側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽層的材料包括銀導(dǎo)電漆、銅導(dǎo)電漆、鎳導(dǎo)電漆、銀包銅粉和鎳包銅粉中的至少一種，且所述電磁阻擋層的材料與所述電磁屏蔽層的材料相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接合柱、所述引線、所述介質(zhì)層、所述電磁屏蔽層和所述第一器件圍成的區(qū)域在所述基底上的正投影為第一投影，所述第二器件在所述基底上的正投影為第二投影，所述第二投影覆蓋所述第一投影，且所述導(dǎo)電柱、所述保護(hù)層和所述電磁阻擋層在所述基底上的組合正投影為第三投影，所述第三投影位于所述第一投影之外；

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：密封層，所述密封層覆蓋所述第二器件、所述電磁阻擋層和所述導(dǎo)電線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二器件包括多個芯片堆疊的封裝體，且多個所述芯片沿所述基底指向所述第一器件的方向依次堆疊設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二器件露出所述焊盤的側(cè)壁，相鄰所述第二器件上的所述焊盤之間具有金屬層，用于電連接相鄰所述第二器件上的所述焊盤，所述焊盤和所述金屬層共同構(gòu)成電連接結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電線的一端與所述電連接結(jié)構(gòu)頂面接觸電連接。