[發明專利]化合物半導體續流功率晶體管

有效

• 申請號: 202110443694.6
• 申請日: 2021-04-23
• 公開（公告）號: CN113270478B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發明（設計）人: 孫紹瑜;陶倩倩;金玉豐
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 黃廣龍

1.化合物半導體續流功率晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

緩沖層，所述緩沖層設置于所述襯底上；

勢壘層，所述勢壘層設置于所述緩沖層上，所述勢壘層上設置有源極、漏極和柵極，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述勢壘層中設有用于形成電子陷阱的陷阱區，所述陷阱區位于所述源極和所述漏極之間，所述柵極不設置在所述陷阱區的正上方，所述功率晶體管為常開型；其中，所述柵極設置為環繞所述漏極的形狀，所述柵極包括第一柵端和第二柵端，所述第一柵端和所述第二柵端之間形成狹槽區，所述陷阱區位于所述狹槽區中；根據所述功率晶體管預設的閾值電壓對所述陷阱區進行設置，所述閾值電壓具有負溫度系數，所述負溫度系數用于表示所述功率晶體管的工作溫度和所述閾值電壓呈負相關；

鈍化層，所述鈍化層設置在所述勢壘層表面，根據所述勢壘層的厚度設置所述鈍化層的厚度。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體續流功率晶體管，其特征在于，所述鈍化層的厚度小于5μm。

3.根據權利要求1所述的化合物半導體續流功率晶體管，其特征在于，所述第一柵端和所述第二柵端均為扇形，所述扇形的圓心角大于90度，小于180度。

4.根據權利要求3所述的化合物半導體續流功率晶體管，其特征在于，所述第一柵端與所述第二柵端之間的最小距離小于0.5μm。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體續流功率晶體管，其特征在于，所述陷阱區的態密度大于0.05μm^-2。