[發(fā)明專利]重布線層結(jié)構(gòu)及其制備方法、封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110443293.0
• 申請(qǐng)日: 2021-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN113327911B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡楠;孔劍平;王琪;崔傳榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江毫微米科技有限公司;浙江微片科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/538
• 分類號(hào): H01L23/538;H01L23/498;H01L25/18;H01L21/48;H01L21/98
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種重布線層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述重布線層結(jié)構(gòu)設(shè)置在相鄰兩個(gè)芯片之間，所述重布線層結(jié)構(gòu)包括：

第一絕緣層；

貫穿所述第一絕緣層的多個(gè)第一連接件，用于實(shí)現(xiàn)相鄰兩個(gè)所述芯片之間的信號(hào)連接；

貫穿所述第一絕緣層且與所述多個(gè)第一連接件并排設(shè)置的多個(gè)第二連接件和多個(gè)第三連接件，所述第一連接件位于所述多個(gè)第二連接和所述多個(gè)第三連接件之間；

從所述第一絕緣層下表面延伸至所述第一絕緣層內(nèi)部并與所述第二連接件側(cè)面連接的多個(gè)第四連接件；

其中，所述第二連接件、所述第三連接件和所述第四連接件用于實(shí)現(xiàn)所述芯片與外部電源之間的電源連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重布線層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述重布線層結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層；其中，所述第二絕緣層包括貫穿所述第二絕緣層以裸露出所述第一連接件、所述第二連接件和所述第三連接件的上表面的多個(gè)開口；

分別設(shè)置于兩個(gè)所述第二連接件上方的所述開口內(nèi)的第五連接件；

位于所述第五連接件上方的旁路電容；其中，所述旁路電容的兩端通過所述五連接件分別與所述兩個(gè)所述第二連接件連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重布線層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層包括第一子絕緣層，以及與所述第一子絕緣層并排設(shè)置的第二子絕緣層和第三子絕緣層；

其中，所述第一連接件貫穿所述第一子絕緣層，所述第二連接件貫穿所述第二子絕緣層，所述第三連接件貫穿所述第三子絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的重布線層結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一子絕緣層的材料包括硅絕緣材料；

所述第二子絕緣層和所述第三子絕緣層的材料包括有機(jī)材料。

5.一種重布線層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供臨時(shí)基板；

在所述臨時(shí)基板上方形成第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上方形成第一絕緣層；

形成貫穿所述第一絕緣層的多個(gè)第一連接件；

形成貫穿所述第一絕緣層且與所述多個(gè)第一連接件并排設(shè)置的多個(gè)第二連接件和多個(gè)第三連接件，所述第一連接件位于所述多個(gè)第二連接和所述多個(gè)第三連接件之間；

形成從所述第一絕緣層上表面延伸至所述第一絕緣層內(nèi)部并與所述第二連接件側(cè)面連接的多個(gè)第四連接件；

去除所述臨時(shí)基板和所述第三絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的重布線層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述第一絕緣層相對(duì)于所述第四連接件的另一表面上形成第二絕緣層，并形成貫穿所述第二絕緣層以裸露出所述第一連接件、所述第二連接件和所述第三連接件靠近所述第二絕緣層的表面的多個(gè)開口；

在兩個(gè)所述第二連接件表面的所述開口內(nèi)設(shè)置第五連接件；

在所述第五連接件遠(yuǎn)離所述第二連接件的一端設(shè)置旁路電容；其中，所述旁路電容的兩端通過所述第五連接件分別與所述兩個(gè)所述第二連接件連接。

7.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的重布線層結(jié)構(gòu)或者利用如權(quán)利要求5或6所述的制備方法所制備的重布線層結(jié)構(gòu)；

位于所述重布線層結(jié)構(gòu)下方的第一芯片；其中，所述第一芯片通過第一微凸塊與所述重布線層結(jié)構(gòu)的第一連接件和第二連接件連接；

位于所述重布線層結(jié)構(gòu)上方的第二芯片；其中，所述第二芯片通過第二微凸塊與所述第一連接件和所述第三連接件連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

填充于所述第一芯片與所述重布線層結(jié)構(gòu)之間間隙且圍繞于所述第一芯片的第一封裝層；

貫穿所述第一封裝層并分別與所述重布線層結(jié)構(gòu)的所述第三連接件和第四連接件連接的第六連接件和第七連接件；

位于所述第一封裝層下方的封裝基板；其中，所述第六連接件和所述第七連接件分別通過第三微凸塊和第四微凸塊與所述封裝基板連接。