[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110441655.2
• 申請(qǐng)日: 2021-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113192892B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳文麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 姚姝婭

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)于所述基底內(nèi)隔離出若干個(gè)間隔排布的有源區(qū)；

于所述基底中形成第一溝槽，所述第一溝槽暴露出部分所述有源區(qū)；

于所述第一溝槽中形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)填滿所述第一溝槽；

于所述基底上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述基底的上表面及所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上表面；

于所述第一介質(zhì)層中形成第二溝槽，所述第二溝槽暴露出所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二溝槽的頂部寬度大于所述第一溝槽的頂部寬度；

于所述第二溝槽中形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)共同構(gòu)成位線接觸結(jié)構(gòu)，所述第二溝槽的底部寬度等于所述第一溝槽的頂部寬度；所述基底包括襯底及位于所述襯底上表面的第二介質(zhì)層；

所述于所述基底中形成第一溝槽的步驟包括：

于所述第二介質(zhì)層上形成掩膜層；

于所述第二介質(zhì)層上形成第二圖形化掩膜層，所述第二圖形化掩膜層定義出所述第一溝槽的形狀及位置；

所述于所述第二介質(zhì)層上形成掩膜層的步驟包括：

于所述第二介質(zhì)層上形成第一旋涂硬掩膜層；

于所述第一旋涂硬掩膜層的表面形成第一氧化硅層；

所述掩膜層包括自第二介質(zhì)層依次疊置的第一旋涂硬掩膜層及第一氧化硅層，所述第一介質(zhì)層包括自第二介質(zhì)層依次疊置的第二旋涂硬掩膜層及第二氧化硅層，所述第二介質(zhì)層包括在襯底上形成的氮氧化硅層；基于所述第二圖形化掩膜層對(duì)所述掩膜層進(jìn)行圖形化處理，以得到第三圖形化掩膜層之后還包括：

去除所述第二圖形化掩膜層的步驟；

基于所述第三圖形化掩膜層對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以得到第一溝槽之后還包括：

去除所述第三圖形化掩膜層的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二溝槽為倒梯形溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述于所述第一介質(zhì)層中形成第二溝槽的步驟還包括：

于所述第一介質(zhì)層上形成第一圖形化掩膜層，所述第一圖形化掩膜層定義出所述第二溝槽的形狀及位置；

基于所述第一圖形化掩膜層對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以形成所述第二溝槽；

去除所述第一圖形化掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述基于所述第一圖形化掩膜層對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以形成所述第二溝槽的工藝氣體包括：

二氟甲烷、六氟丁二烯、氧氣和氮?dú)狻?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上表面與所述第一介質(zhì)層的上表面相齊平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括多晶硅結(jié)構(gòu)、鎢導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或氮化鈦結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述于所述基底中形成第一溝槽的步驟還包括：

基于所述第二圖形化掩膜層對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以得到第一溝槽；

其中，所述第一溝槽貫穿所述第二介質(zhì)層并延伸至所述襯底內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，

基于所述第二圖形化掩膜層對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以得到第一溝槽的步驟包括：

基于所述第二圖形化掩膜層對(duì)所述掩膜層進(jìn)行圖形化處理，以得到第三圖形化掩膜層；

基于所述第三圖形化掩膜層對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以得到第一溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，基于所述第三圖形化掩膜層對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行圖形化處理，以得到第一溝槽的工藝氣體包括:

六氟丁二烯、氧氣和氬氣。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層還包括位于襯底和氮氧化硅層之間的第三氧化硅層。